| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 半导体集成技术的发展现状 | 第9页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器 | 第9-12页 |
| 1.2.1 铁电存储器(FeRAM) | 第9-10页 |
| 1.2.2 磁存储器(MRAM) | 第10-11页 |
| 1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第11页 |
| 1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第11-12页 |
| 1.3 阻变存储器的基本介绍 | 第12-16页 |
| 1.3.1 RRAM的简介 | 第12-13页 |
| 1.3.2 RRAM的性能指标 | 第13页 |
| 1.3.3 RRAM的存储机制 | 第13-16页 |
| 1.4 阻变存储器功能化应用的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.5 研究内容及研究意义 | 第19-21页 |
| 第二章 压力发电系统的构建及RRAM的表征技术 | 第21-28页 |
| 2.1 PZT压力发电系统的构建 | 第21-24页 |
| 2.1.1 压力发电系统的构建 | 第21-22页 |
| 2.1.2 压力发电机的性能测试 | 第22-24页 |
| 2.2 RRAM器件的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 阻变存储器的构建 | 第24页 |
| 2.2.2 薄膜沉积设备的介绍 | 第24-25页 |
| 2.3 RRAM的表征技术 | 第25-27页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第26-27页 |
| 2.3.3 半导体参数分析仪 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 Mn、Zn离子掺杂对BFO基阻变器件性能的影响 | 第28-42页 |
| 3.1 未掺杂的BFO基阻变器件的性能 | 第28-30页 |
| 3.2 掺杂Mn离子的BFO基阻变器件的性能 | 第30-34页 |
| 3.3 掺杂Zn离子的BFO基阻变器件的性能 | 第34-37页 |
| 3.4 Mn\Zn离子共掺杂的BFO基阻变器件的性能 | 第37-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 RRAM阻变机制的分析及自驱动压力记忆系统性能的测试 | 第42-48页 |
| 4.1 RRAM阻变机制的分析 | 第42-44页 |
| 4.2 自驱动压力记忆系统性能的测试 | 第44-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
