摘要 | 第4-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第15-25页 |
1.1 研究背景 | 第15-16页 |
1.2 研究现状简介 | 第16-20页 |
1.2.1 能级弥散理论 | 第16-17页 |
1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族量子点激光器 | 第17-18页 |
1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族量子阱及量子点超辐射管 | 第18-20页 |
1.3 论文的结构安排 | 第20-21页 |
参考文献 | 第21-25页 |
第二章 理论基础与实验技术 | 第25-45页 |
2.1 半导体低维异质结构及器件的理论基础 | 第25-32页 |
2.1.1 半导体低维结构 | 第25-27页 |
2.1.2 半导体激光器的基本理论[5] | 第27-28页 |
2.1.3 半导体超辐射管的基本理论 | 第28-32页 |
2.2 半导体Ⅲ-Ⅴ族材料外延技术 | 第32-35页 |
2.2.1 金属有机化学气相沉积 | 第32-34页 |
2.2.2 分子束外延 | 第34-35页 |
2.3 半导体材料表征技术 | 第35-39页 |
2.3.1 X射线衍射 | 第35-36页 |
2.3.2 光致发光 | 第36-37页 |
2.3.3 原子力显微镜 | 第37-38页 |
2.3.4 其他表征技术 | 第38-39页 |
2.4 器件制备及测试技术 | 第39-42页 |
2.4.1 激光器/超辐射管制备工艺 | 第39-42页 |
2.4.2 激光器/超辐射管测试技术 | 第42页 |
2.5 本章小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
第三章 能级弥散理论中弥散线型的分析研究 | 第45-55页 |
3.1 能级弥散理论介绍 | 第45-46页 |
3.2 能级弥散理论中不同弥散线型的计算 | 第46-52页 |
3.2.1 指数线型时的电子态密度 | 第46-48页 |
3.2.2 洛伦兹线型时的电子态密度 | 第48-51页 |
3.2.3 实际情况中可能的复合弥散线型 | 第51-52页 |
3.3 弥散电子态密度曲线在分数维度电子态系理论中的运用 | 第52-53页 |
3.4 本章小结 | 第53页 |
参考文献 | 第53-55页 |
第四章 Ⅲ-Ⅴ族量子阱材料及器件研究 | 第55-75页 |
4.1 InP基量子阱材料的结构及器件 | 第55-66页 |
4.1.1 InP基InGaAsP量子阱激光器及超辐射管 | 第55-62页 |
4.1.2 InP基AlGaInAs量子阱激光器及超辐射管 | 第62-66页 |
4.2 GaAs基量子阱材料的外延及器件 | 第66-74页 |
4.2.1 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱结构外延 | 第66-67页 |
4.2.2 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱激光器 | 第67-69页 |
4.2.3 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱超辐射管 | 第69-74页 |
4.3 本章小结 | 第74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第五章 Ⅲ-Ⅴ族量子点材料及器件研究 | 第75-115页 |
5.1 GaAs基InAs量子点结构的生长及优化 | 第76-83页 |
5.1.1 量子点生长的优化方法 | 第76-80页 |
5.1.2 量子点器件有源区的生长 | 第80-82页 |
5.1.3 量子点器件AlGaAs上限制层的生长 | 第82-83页 |
5.2 GaAs基InAs量子点器件 | 第83-98页 |
5.2.1 MOCVD生长的量子点激光器 | 第83-90页 |
5.2.2 MBE生长的量子点激光器及超辐射管 | 第90-98页 |
5.3 硅基InAs量子点材料的生长研究 | 第98-110页 |
5.3.1 硅基GaAs材料的异变外延 | 第99-102页 |
5.3.2 硅基InAs量子点的生长 | 第102-110页 |
5.4 本章小结 | 第110-111页 |
参考文献 | 第111-115页 |
第六章 总结与展望 | 第115-118页 |
6.1 总结 | 第115-116页 |
6.2 展望 | 第116-118页 |
附录 | 第118-120页 |
致谢 | 第120-121页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文及申请的专利 | 第121-123页 |