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低维异质结构与新型Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件的研究

摘要第4-7页
ABSTRACT第7-11页
第一章 绪论第15-25页
    1.1 研究背景第15-16页
    1.2 研究现状简介第16-20页
        1.2.1 能级弥散理论第16-17页
        1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族量子点激光器第17-18页
        1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族量子阱及量子点超辐射管第18-20页
    1.3 论文的结构安排第20-21页
    参考文献第21-25页
第二章 理论基础与实验技术第25-45页
    2.1 半导体低维异质结构及器件的理论基础第25-32页
        2.1.1 半导体低维结构第25-27页
        2.1.2 半导体激光器的基本理论[5]第27-28页
        2.1.3 半导体超辐射管的基本理论第28-32页
    2.2 半导体Ⅲ-Ⅴ族材料外延技术第32-35页
        2.2.1 金属有机化学气相沉积第32-34页
        2.2.2 分子束外延第34-35页
    2.3 半导体材料表征技术第35-39页
        2.3.1 X射线衍射第35-36页
        2.3.2 光致发光第36-37页
        2.3.3 原子力显微镜第37-38页
        2.3.4 其他表征技术第38-39页
    2.4 器件制备及测试技术第39-42页
        2.4.1 激光器/超辐射管制备工艺第39-42页
        2.4.2 激光器/超辐射管测试技术第42页
    2.5 本章小结第42-43页
    参考文献第43-45页
第三章 能级弥散理论中弥散线型的分析研究第45-55页
    3.1 能级弥散理论介绍第45-46页
    3.2 能级弥散理论中不同弥散线型的计算第46-52页
        3.2.1 指数线型时的电子态密度第46-48页
        3.2.2 洛伦兹线型时的电子态密度第48-51页
        3.2.3 实际情况中可能的复合弥散线型第51-52页
    3.3 弥散电子态密度曲线在分数维度电子态系理论中的运用第52-53页
    3.4 本章小结第53页
    参考文献第53-55页
第四章 Ⅲ-Ⅴ族量子阱材料及器件研究第55-75页
    4.1 InP基量子阱材料的结构及器件第55-66页
        4.1.1 InP基InGaAsP量子阱激光器及超辐射管第55-62页
        4.1.2 InP基AlGaInAs量子阱激光器及超辐射管第62-66页
    4.2 GaAs基量子阱材料的外延及器件第66-74页
        4.2.1 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱结构外延第66-67页
        4.2.2 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱激光器第67-69页
        4.2.3 GaAs基InGaAs/GaAs量子阱超辐射管第69-74页
    4.3 本章小结第74页
    参考文献第74-75页
第五章 Ⅲ-Ⅴ族量子点材料及器件研究第75-115页
    5.1 GaAs基InAs量子点结构的生长及优化第76-83页
        5.1.1 量子点生长的优化方法第76-80页
        5.1.2 量子点器件有源区的生长第80-82页
        5.1.3 量子点器件AlGaAs上限制层的生长第82-83页
    5.2 GaAs基InAs量子点器件第83-98页
        5.2.1 MOCVD生长的量子点激光器第83-90页
        5.2.2 MBE生长的量子点激光器及超辐射管第90-98页
    5.3 硅基InAs量子点材料的生长研究第98-110页
        5.3.1 硅基GaAs材料的异变外延第99-102页
        5.3.2 硅基InAs量子点的生长第102-110页
    5.4 本章小结第110-111页
    参考文献第111-115页
第六章 总结与展望第115-118页
    6.1 总结第115-116页
    6.2 展望第116-118页
附录第118-120页
致谢第120-121页
攻读博士学位期间发表的学术论文及申请的专利第121-123页

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