| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 过渡族金属硫化物简介 | 第11-12页 |
| 1.2 MoS_2和WS_2的物理性质 | 第12-15页 |
| 1.2.1 MoS_2和WS_2的能带结构 | 第12页 |
| 1.2.2 MoS_2和WS_2的激子特性 | 第12-14页 |
| 1.2.3 激子散射机制 | 第14-15页 |
| 1.3 过渡族金属硫化物的应用 | 第15-16页 |
| 1.3.1 场效应晶体管(fieldeffecttransistor,FET) | 第15页 |
| 1.3.2 光电探测器(Phototransistors) | 第15-16页 |
| 1.3.3 二维材料激光器 | 第16页 |
| 1.4 过渡族金属硫化物的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.4.1 胶带剥离法 | 第16-17页 |
| 1.4.2 液相剥离法 | 第17页 |
| 1.4.3 热分解法 | 第17页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法 | 第17页 |
| 1.5 范德瓦尔斯异质结 | 第17-21页 |
| 1.5.1 范德瓦尔斯异质结的制备 | 第18-19页 |
| 1.5.2 过渡族金属硫化物范德瓦尔斯异质结的性质 | 第19-21页 |
| 1.6 本论文的选题意义与研究内容 | 第21-23页 |
| 1.6.1 论文课题的提出 | 第21页 |
| 1.6.2 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 光谱及电势表征技术 | 第23-29页 |
| 2.1 光学表征 | 第23-28页 |
| 2.1.1 共聚焦光学显微镜 | 第23页 |
| 2.1.2 拉曼光谱 | 第23-25页 |
| 2.1.3 光致发光谱 | 第25-26页 |
| 2.1.4 吸收光谱 | 第26-28页 |
| 2.2 表面电势表征 | 第28-29页 |
| 第3章 室温下的单层WS_2异常荧光现象 | 第29-38页 |
| 3.1 化学气相沉积法生长单层WS_2 | 第29-30页 |
| 3.2 单层WS_2的光学表征 | 第30-37页 |
| 3.2.1 荧光成像表征 | 第31-33页 |
| 3.2.2 拉曼成像表征 | 第33-34页 |
| 3.2.3 吸收光谱成像表征 | 第34-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 化学气相沉积法生长侧向MoS_2-WS_2异质结及光学特性研究 | 第38-48页 |
| 4.1 实验制备 | 第38-39页 |
| 4.2 侧向MoS_2-WS_2异质结的光学性质研究 | 第39-46页 |
| 4.2.1 拉曼成像表征 | 第40-41页 |
| 4.2.2 荧光成像表征 | 第41-44页 |
| 4.2.3 吸收光谱表征 | 第44-46页 |
| 4.3 MoS_2-WS_2侧向异质结的电学性质 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57页 |
