| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-13页 |
| 1.1.1 直接途径获得中红外激光 | 第9-11页 |
| 1.1.2 间接途径获得中红外激光 | 第11-13页 |
| 1.2 中红外光纤激光研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3 中红外跃迁稀土离子的选取 | 第14-15页 |
| 1.4 Dy~(3+)掺杂硫系玻璃中红外光学性能研究进展 | 第15-19页 |
| 1.4.1 As-S体系 | 第16页 |
| 1.4.2 Ga-La-S体系 | 第16-17页 |
| 1.4.3 Ge-As-S/Ge-As-Se体系 | 第17-18页 |
| 1.4.4 Ge-Ga-S体系 | 第18页 |
| 1.4.5 Ge-Ga-Sb-S体系 | 第18-19页 |
| 1.4.6 Ga-Sb-S体系 | 第19页 |
| 1.5 选题的目的及意义 | 第19-21页 |
| 第2章 硫系玻璃的制备及性能表征 | 第21-27页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 硫系玻璃的制备过程 | 第21-24页 |
| 2.2.1 硫系玻璃的工艺流程 | 第21页 |
| 2.2.2 石英管的预处理 | 第21页 |
| 2.2.3 原料的配比称量 | 第21-22页 |
| 2.2.4 石英管的预封及真空封装 | 第22-23页 |
| 2.2.5 硫系玻璃的熔制 | 第23-24页 |
| 2.2.6 玻璃的退火及切片抛光 | 第24页 |
| 2.3 硫系玻璃的性能表征 | 第24-27页 |
| 2.3.1 玻璃的密度测试 | 第25页 |
| 2.3.2 玻璃的折射率测试 | 第25页 |
| 2.3.3 玻璃的可见-红外光谱测试 | 第25页 |
| 2.3.4 玻璃的荧光光谱及荧光寿命测试 | 第25-27页 |
| 第3章 Dy~(3+)掺杂硫系玻璃的光学性能研究 | 第27-47页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 硫系玻璃样品的基本物理性能 | 第27-28页 |
| 3.3 硫系玻璃样品的近红外光学性能分析 | 第28-31页 |
| 3.3.1 近红外光谱及分析 | 第29-31页 |
| 3.3.2 近红外吸收截面积及分析 | 第31页 |
| 3.4 Judd-Ofelt理论计算 | 第31-39页 |
| 3.4.1 Judd-Ofelt理论简介 | 第32-36页 |
| 3.4.2 Judd-Ofelt计算结果及分析 | 第36-39页 |
| 3.5 硫系玻璃样品的中红外光学性能分析 | 第39-46页 |
| 3.5.1 中红外透过光谱及性能分析 | 第40-41页 |
| 3.5.2 中红外荧光光谱及性能分析 | 第41-43页 |
| 3.5.3 中红外荧光寿命及分析 | 第43-46页 |
| 3.6 本章小节 | 第46-47页 |
| 第4章 除杂工艺对64GeS_2·Ga_2S_3·20CdI_2中红外光学性能的影响 | 第47-54页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 除杂工艺流程 | 第47-48页 |
| 4.3 除杂工艺对硫系玻璃的透过光谱影响及分析 | 第48-52页 |
| 4.3.1 TeCl_4含量对64GeS_2·Ga_2S_3·20CdI_2玻璃杂质的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.2 原料热处理工艺对64GeS_2·Ga_2S_3·20CdI_2玻璃杂质的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 除杂工艺对硫系玻璃的荧光光谱影响及分析 | 第52页 |
| 4.5 除杂工艺对硫系玻璃的荧光寿命影响及分析 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小节 | 第53-54页 |
| 第5章 Dy~(3+)掺杂64GeS_2·Ga_2S_3·CdI_2硫系玻璃光纤的性能及表征 | 第54-59页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 Dy~(3+)掺杂64GeS_2·Ga_2S_3·20CdI_2硫系玻璃光纤的制备流程 | 第55-56页 |
| 5.3 光纤拉制结果及分析 | 第56-58页 |
| 5.3.1 预制棒粘度的调整 | 第57-58页 |
| 5.3.2 预制棒折射率的调整 | 第58页 |
| 5.4 本章小节 | 第58-59页 |
| 第6章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
