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串联IGBT高压开关关键技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-20页
    1.1 研究背景与意义第10-11页
    1.2 高压固态开关研究难点第11-14页
    1.3 IGBT串联技术研究现状第14-18页
    1.4 本论文的主要研究内容第18-20页
2 基于压接IGBT的高压直流开关方案研究第20-40页
    2.1 IGBT选择第21-24页
    2.2 RCD缓冲电路设计第24-26页
    2.3 散热器设计第26-37页
    2.4 串联IGBT机械结构设计第37-39页
    2.5 小结第39-40页
3 基于压接IGBT的高压直流开关控制策略第40-58页
    3.1 IGBT关断驱动原理第40-44页
    3.2 IGBT驱动控制策略第44-52页
    3.3 IGBT驱动第52-53页
    3.4 上位机控制程序第53-57页
    3.5 小结第57-58页
4 10KV开关测试平台方案第58-74页
    4.1 直流测试平台原理与架构第59-61页
    4.2 测试平台设计第61-70页
    4.3 测试平台控制程序第70-73页
    4.4 小结第73-74页
5 实验结果与分析第74-81页
    5.1 实验条件第74页
    5.2 IGBT分级关断第74-76页
    5.3 IGBT时序补偿第76-80页
    5.4 小结第80-81页
6 总结与展望第81-84页
    6.1 全文总结第81-82页
    6.2 未来工作展望第82-84页
致谢第84-85页
参考文献第85-91页

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