串联IGBT高压开关关键技术研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 高压固态开关研究难点 | 第11-14页 |
1.3 IGBT串联技术研究现状 | 第14-18页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
2 基于压接IGBT的高压直流开关方案研究 | 第20-40页 |
2.1 IGBT选择 | 第21-24页 |
2.2 RCD缓冲电路设计 | 第24-26页 |
2.3 散热器设计 | 第26-37页 |
2.4 串联IGBT机械结构设计 | 第37-39页 |
2.5 小结 | 第39-40页 |
3 基于压接IGBT的高压直流开关控制策略 | 第40-58页 |
3.1 IGBT关断驱动原理 | 第40-44页 |
3.2 IGBT驱动控制策略 | 第44-52页 |
3.3 IGBT驱动 | 第52-53页 |
3.4 上位机控制程序 | 第53-57页 |
3.5 小结 | 第57-58页 |
4 10KV开关测试平台方案 | 第58-74页 |
4.1 直流测试平台原理与架构 | 第59-61页 |
4.2 测试平台设计 | 第61-70页 |
4.3 测试平台控制程序 | 第70-73页 |
4.4 小结 | 第73-74页 |
5 实验结果与分析 | 第74-81页 |
5.1 实验条件 | 第74页 |
5.2 IGBT分级关断 | 第74-76页 |
5.3 IGBT时序补偿 | 第76-80页 |
5.4 小结 | 第80-81页 |
6 总结与展望 | 第81-84页 |
6.1 全文总结 | 第81-82页 |
6.2 未来工作展望 | 第82-84页 |
致谢 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-91页 |