| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 多晶硅薄膜的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.1.1 APCVD | 第10页 |
| 1.1.2 LPCVD | 第10-11页 |
| 1.1.3 PECVD | 第11页 |
| 1.2 LPCVD制备多晶硅薄膜的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 LPCVD制备多晶硅薄膜的工艺和性能方面的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 LPCVD制备多晶硅薄膜的质量及工艺稳定性方面的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3 本课题的研究意义与实验方法 | 第14-15页 |
| 第二章 实验方法 | 第15-23页 |
| 2.1 实验装置 | 第15-18页 |
| 2.1.1 LPCVD装置 | 第15-17页 |
| 2.1.2 热处理设备 | 第17-18页 |
| 2.2 实验条件 | 第18-19页 |
| 2.2.1 纳米多晶硅薄膜的制备 | 第18页 |
| 2.2.2 热处理的实验条件 | 第18-19页 |
| 2.3 多晶硅薄膜的表征方法 | 第19-23页 |
| 2.3.1 粗糙度和表面测试 | 第19-20页 |
| 2.3.2 翘曲度测试 | 第20-21页 |
| 2.3.3 膜厚测试 | 第21-22页 |
| 2.3.4 颗粒测试 | 第22-23页 |
| 第三章 多晶硅薄膜的生长速率 | 第23-35页 |
| 3.1 LPCVD制备多晶Si薄膜动力学 | 第23-26页 |
| 3.1.1 多晶硅薄膜的沉积过程 | 第23-24页 |
| 3.1.2 多晶硅薄膜沉积动力学 | 第24-26页 |
| 3.2 LPCVD多晶硅薄膜的生长速率 | 第26-30页 |
| 3.2.1 多晶硅薄膜生长速率与沉积温度的关系 | 第26-27页 |
| 3.2.2 多晶硅薄膜生长速率与硅烷流量的关系 | 第27-28页 |
| 3.2.3 多晶硅薄膜生长速率与反应压力的关系 | 第28-29页 |
| 3.2.4 多晶硅薄膜生长速率与沉积时间的关系 | 第29-30页 |
| 3.3 多晶硅薄膜的性质 | 第30-33页 |
| 3.3.1 不同条件下多晶硅薄膜的表面性质 | 第30-32页 |
| 3.3.2 多晶硅薄膜的厚度均匀性 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 不同状态多晶硅薄膜与硅片翘曲度的关系 | 第35-43页 |
| 4.1 薄膜的应力理论 | 第35-37页 |
| 4.1.1 薄膜的应力理论 | 第35-36页 |
| 4.1.2 薄膜的生长模式 | 第36-37页 |
| 4.2 不同工艺条件下的多晶硅薄膜对硅片翘曲度的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.1 多晶硅薄膜的沉积温度对硅片翘曲度的影响。 | 第37-38页 |
| 4.2.2 多晶硅薄膜的厚度对硅片翘曲度的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 退火工艺对多晶背封硅片翘曲度的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.1 退火温度对多晶背封硅片翘曲度的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 退火时间对多晶背封硅片翘曲度的影响 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 多晶硅薄膜的制程设计 | 第43-53页 |
| 5.1 多晶硅薄膜的制程设计 | 第43-44页 |
| 5.1.1 多晶硅薄膜沉积前 | 第44页 |
| 5.1.2 多晶硅薄膜沉积后处理 | 第44页 |
| 5.2 制程设计对多晶硅薄膜质量的影响 | 第44-52页 |
| 5.2.1 颗粒沾污的研究和改善方案 | 第45-46页 |
| 5.2.2 工艺腔体的温度和颗粒沾污的关系 | 第46-48页 |
| 5.2.3 工艺腔体压力和颗粒沾污的关系 | 第48-49页 |
| 5.2.4 颗粒沾污的改善方案 | 第49-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读学位期间取得的相关科研成果 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
