| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 磁性材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 信息存储技术简介 | 第11页 |
| 1.3 磁存储技术简介 | 第11-15页 |
| 1.3.1 磁存储技术发展史 | 第12-13页 |
| 1.3.2 硬盘的基本构架及原理 | 第13-15页 |
| 1.4 磁晶各向异性 | 第15-17页 |
| 1.5 磁存储现状及面临的困境 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 第2章 理论计算与方法 | 第20-30页 |
| 2.1 绝热近似(Born-Oppenheimer近似) | 第20-21页 |
| 2.2 哈特利-福克(Hartree-Fock)近似 | 第21-23页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.3.1 霍亨伯格-孔恩(Hohenberg-Kohn)定理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 孔恩-沈吕九(Kohn-Sham)方程 | 第25-26页 |
| 2.3.3 交换关联泛函(exchange-correlation functional) | 第26-27页 |
| 2.4 计算磁晶各向异性能的方法 | 第27-29页 |
| 2.4.1 总能量方法 | 第27-28页 |
| 2.4.2 本征值之和的方法 | 第28页 |
| 2.4.3 转矩法(Torque method) | 第28-29页 |
| 2.5 应用软件简介 | 第29-30页 |
| 第3章 二维有机过渡金属结构TM_3C_(12)S_(12)的磁性及磁晶各向异性 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 结构模型及计算方法 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-38页 |
| 3.3.1 晶格常数 | 第32页 |
| 3.3.2 体系的磁矩 | 第32-34页 |
| 3.3.3 应变对Re_3C_(12)S_(12)的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.4 体系的磁晶各向异性能及其调控 | 第35-38页 |
| 3.4 本章总结 | 第38-39页 |
| 第4章 高磁晶各向异性能新材料—TM-DCA | 第39-45页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 计算模型及方法 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-44页 |
| 4.3.1 计算结果 | 第40-41页 |
| 4.3.2 Rh-DCA体系的电子结构 | 第41-42页 |
| 4.3.3 5d TM-DCA体系的磁晶各向异性能 | 第42-44页 |
| 4.4 本章总结 | 第44-45页 |
| 第5章 总结与展望 | 第45-46页 |
| 5.1 工作总结 | 第45页 |
| 5.2 工作展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
