| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| Notation | 第15-16页 |
| Chapter 1 Introduction | 第16-30页 |
| 1.1 Device and Structure | 第20-23页 |
| 1.2 Types of Models | 第23-24页 |
| 1.3 Device Modeling and Selection Criteria | 第24页 |
| 1.4 EQC-Based Analytical Modeling | 第24-25页 |
| 1.5 Research Methodology and Dissertation outline | 第25-30页 |
| Chapter 2 Characterization and Model Parameter Extraction | 第30-54页 |
| 2.1 Extraction of Parameters for Bare Die | 第31-34页 |
| 2.2 Model and Parameters for Packaged Transistor | 第34-37页 |
| 2.3 De-embedding Techniques | 第37-39页 |
| 2.4 TRL Calibration | 第39-40页 |
| 2.5 Procedure of Model Parameter Extraction | 第40-41页 |
| 2.6 De-embedding of GaN HEMT Parasitic(Extrinsic) Elements | 第41-43页 |
| 2.7 Extraction of the Intrinsic Elements | 第43-46页 |
| 2.8 DC Modeling | 第46-47页 |
| 2.9 Charge and Capacitance Modeling | 第47-49页 |
| 2.10 Large-Signal Model Extraction | 第49-50页 |
| 2.11 Model Verification | 第50-54页 |
| Chapter 3 An Improved GaN HEMT large-signal Model | 第54-67页 |
| 3.1 A New Trapping Large-Signal Model and Extraction Technique | 第56-63页 |
| 3.2 Drain Model Equation | 第63页 |
| 3.3 Angelov Model with Trapping Effect and Large-Signal Model Extraction | 第63-64页 |
| 3.4 New I_(ds) equation | 第64-67页 |
| 3.4.1 Improve Electro-Thermal Effect | 第64-65页 |
| 3.4.2 Trapping Temperature Effect | 第65-67页 |
| Chapter 4 Power Amplifier Design and Model Verification | 第67-74页 |
| 4.1 Classes RF Power Amplifiers | 第67-68页 |
| 4.2 Device Model Validation | 第68-72页 |
| 4.3 Doherty Power Amplifier LS Model Verification | 第72-74页 |
| Chapter 5 2D Material Black Phosphorus and RTD | 第74-83页 |
| 5.1 Device Fabrication | 第76-78页 |
| 5.2 Device Characterization | 第78-80页 |
| 5.3 Existing Models of Negative Resistance Devices for Diodes | 第80-81页 |
| 5.3.1 Piecewise linear model | 第80页 |
| 5.3.2 Piecewise linear model | 第80页 |
| 5.3.3 Gaussian-exponential combination model | 第80-81页 |
| 5.3.4 Physics-based model | 第81页 |
| 5.4 New Model for BP RTD | 第81-83页 |
| Chapter 6 Conclusions and Future Directions | 第83-85页 |
| 6.1 Conclusions | 第83页 |
| 6.2 Future Directions | 第83-85页 |
| References | 第85-92页 |
| Appendix A | 第92-100页 |
| Acknowledgements | 第100-101页 |
| List of Publications | 第101-102页 |
