| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 SiC陶瓷概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 SiC陶瓷的性质 | 第11-12页 |
| 1.1.2 SiC的结晶形态和晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC粉体的合成方法 | 第13-15页 |
| 1.2.1 Si02还原碳化法 | 第13页 |
| 1.2.2 元素固相反应法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 Acheson法 | 第14页 |
| 1.2.4 金属有机前驱法 | 第14页 |
| 1.2.5 激光合成法 | 第14页 |
| 1.2.6 SiC粉体生成的其他方法 | 第14-15页 |
| 1.3 SiC陶瓷的致密化烧结和其发展 | 第15-19页 |
| 1.3.1 粉体烧结概述 | 第15页 |
| 1.3.2 SiC陶瓷的烧结活性 | 第15-16页 |
| 1.3.3 SiC陶瓷烧结助剂研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3.4 SiC陶瓷的烧结工艺 | 第17-19页 |
| 1.4 SiC陶瓷材料的增韧方法 | 第19-21页 |
| 1.4.1 第二相颗粒增韧机制 | 第19-21页 |
| 1.4.2 纤维补强增韧机制 | 第21页 |
| 1.5 SiC基复合材料的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.5.1 纤维补强增韧SiC复合材料 | 第21-22页 |
| 1.5.2 颗粒弥散增强SiC基复合材料 | 第22页 |
| 1.5.3 梯度复合结构SiC基复合材料 | 第22-23页 |
| 1.6 颗粒弥散增强型颗粒TiB_2的性质及合成方法 | 第23-25页 |
| 1.6.1 第二相增强颗粒TiB_2的物理化学性质 | 第23页 |
| 1.6.2 第二相增强颗粒TiB_2的合成方法 | 第23-25页 |
| 1.7 SiC及SiC基复合材料的应用前景 | 第25-26页 |
| 1.7.1 SiC陶瓷材料的应用 | 第25页 |
| 1.7.2 SiC基复合材料的应用前景 | 第25-26页 |
| 1.8 本课题研究的过程和意义 | 第26-27页 |
| 第二章 实验过程 | 第27-35页 |
| 2.1 实验装置 | 第27页 |
| 2.2 实验原料 | 第27页 |
| 2.3 实验过程 | 第27-35页 |
| 2.3.1 配料计算 | 第27-28页 |
| 2.3.2 混料 | 第28-29页 |
| 2.3.3 造粒和成型 | 第29页 |
| 2.3.4 烧结工艺 | 第29-30页 |
| 2.3.5 性能测试 | 第30-33页 |
| 2.3.6 TiB_2/SiC复合材料显微组织分析与EDS成份分析 | 第33-34页 |
| 2.3.7 TiB_2/SiC复合材料体积电阻率的测定 | 第34-35页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第35-68页 |
| 3.1 TiB_2/SiC复合材料最佳制备工艺的确定 | 第35-42页 |
| 3.1.1 TiB_2原位合成温度的确定 | 第35-36页 |
| 3.1.2 TiB_2/SiC复合材料烧结助剂C源种类的确定 | 第36-37页 |
| 3.1.3 TiB_2/SiC复合材料烧结助剂含量的确定 | 第37-38页 |
| 3.1.4 TiB_2/SiC复合材料烧结条件的优化及烧结机理的探讨 | 第38-41页 |
| 3.1.5 不同TiB_2含量的TiB_2/SiC复合材料XRD与EDS成份分析 | 第41-42页 |
| 3.2 不同TiB_2含量的TiB_2/SIC复合材料的制备 | 第42-44页 |
| 3.3 TiB_2/SIC复合材料的显微组织 | 第44-51页 |
| 3.3.1 TiB_2含量对TiB_2/SiC复合材料显微组织的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.2 烧结温度对TiB_2/SiC复合材料显微组织的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.3 烧结时间对TiB_2/SiC复合材料显微组织的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 TiB_2/SiC复合材料的TEM分析 | 第49-50页 |
| 3.3.5 TiB_2/SiC复合材料TiB_2颗粒长大方式的探讨 | 第50-51页 |
| 3.4 不同TiB_2含量的TiB_2/SIC复合材料的XRD成份分析 | 第51页 |
| 3.5 TiB_2含量和烧结温度对TiB_2/SIC复合材料维氏硬度的影响 | 第51-54页 |
| 3.5.1 TiB_2含量对TiB_2/SiC复合材料维氏硬度的影响 | 第52-53页 |
| 3.5.2 烧结温度对TiB_2/SiC复合材料维氏硬度的影响 | 第53-54页 |
| 3.6 TiB_2含量和烧结温度对TIB_2/SiC复合材料抗弯强度的影响 | 第54-59页 |
| 3.6.1 TiB_2含量对TiB_2/SiC复合材料抗弯强度的影响 | 第54-57页 |
| 3.6.2 烧结温度对TiB_2/SiC复合材料抗弯强度的影响 | 第57-59页 |
| 3.7 TiB_2含量及烧结温度对材料断裂韧性的影响 | 第59-62页 |
| 3.7.1 TiB_2含量对TiB_2/SiC复合材料断裂韧性的影响 | 第59-61页 |
| 3.7.2 烧结温度对TiB_2/SiC复合材料断裂韧性的影响 | 第61-62页 |
| 3.8 TiB_2/SiC复合材料断口SEM显微结构分析 | 第62-64页 |
| 3.8.1 不同TiB_2含量下TiB_2/SiC复合材料断口显微结构分析 | 第62-63页 |
| 3.8.2 不同烧结温度下TiB_2/SiC复合材料断口显微结构分析 | 第63-64页 |
| 3.9 TiB_2/SIC复合材料烧结冷却过程的热致失配应力分析 | 第64-66页 |
| 3.10 TiB_2含量对TiB_2/SIC复合材料导电性的影响 | 第66-68页 |
| 第四章 实验结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
