| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 LTCC技术介绍 | 第10-12页 |
| 1.3 LTCC基板材料的主要特点 | 第12-13页 |
| 1.4 LTCC基板材料低温烧结的实现 | 第13-14页 |
| 1.5 低温烧结Zn_2SiO_4基板材料的国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.6 LTCC圆极化阵列宽带天线综述 | 第15页 |
| 1.7 本论文的内容与研究路线 | 第15-17页 |
| 第二章 Zn_2SiO_4关键特性参数分析 | 第17-24页 |
| 2.1 Zn_2SiO_4介电陶瓷材料特点 | 第17-18页 |
| 2.2 Zn_2SiO_4介电陶瓷材料关键特性参数分析 | 第18-21页 |
| 2.2.1 Zn_2SiO_4介电常数影响因素 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Zn_2SiO_4品质因数影响因素 | 第19-20页 |
| 2.2.3 Zn_2SiO_4温度系数影响因素 | 第20-21页 |
| 2.3 Zn_2SiO_4烧结特性影响因素 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 Zn_2SiO_4介电陶瓷的制备与测试方法 | 第24-30页 |
| 3.1 Zn_2SiO_4介电陶瓷的制备 | 第24-27页 |
| 3.1.1 Zn_2SiO_4介电陶瓷制备所需的原料 | 第24页 |
| 3.1.2 Zn_2SiO_4介电陶瓷制备的工艺流程 | 第24-27页 |
| 3.2 Zn_2SiO_4介电陶瓷的表征与测试 | 第27-29页 |
| 3.2.1 Zn_2SiO_4相对密度的测试 | 第27页 |
| 3.2.2 物相分析 | 第27-28页 |
| 3.2.3 微观相貌的测试 | 第28页 |
| 3.2.4 微波介电性能的测试 | 第28-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 Co~(2+)替代和LBSCA玻璃掺杂对Zn_2SiO_4性能影响 | 第30-46页 |
| 4.1 研究方法与实验步骤 | 第30-31页 |
| 4.1.1 研究方法 | 第30页 |
| 4.1.2 实验步骤 | 第30-31页 |
| 4.2 Co~(2+)替代Zn2+对Zn_2SiO_4性能影响研究 | 第31-36页 |
| 4.2.1 烧结特性研究 | 第31页 |
| 4.2.2 物相与晶胞参数分析 | 第31-33页 |
| 4.2.3 微观相貌研究 | 第33-34页 |
| 4.2.4 微波介电性能研究 | 第34-36页 |
| 4.2.5 小结 | 第36页 |
| 4.3 LBSCA玻璃掺杂对(Zn_(0.95)Co_(0.05))_2SiO4性能的影响研究 | 第36-42页 |
| 4.3.1 烧结特性研究 | 第38页 |
| 4.3.2 物相分析 | 第38-39页 |
| 4.3.3 微观相貌分析 | 第39-41页 |
| 4.3.4 微波介电性能研究 | 第41-42页 |
| 4.3.5 小结 | 第42页 |
| 4.4 (Zn_(0.95)Co_(0.05))_2SiO4 +2 wt% LBSCA温度系数的调节 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 基于Zn_2SiO_4基介电陶瓷的X波段LTCC阵列天线研究 | 第46-67页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 微带天线理论分析 | 第46-48页 |
| 5.3 微带天线的性能参数 | 第48-53页 |
| 5.3.1 辐射方向图 | 第48-49页 |
| 5.3.2 增益 | 第49页 |
| 5.3.3 天线的极化 | 第49-51页 |
| 5.3.4 反射系数 | 第51页 |
| 5.3.5 中心频率及带宽 | 第51-53页 |
| 5.4 阵列天线的设计与加工 | 第53-66页 |
| 5.4.1 天线设计元技术 | 第53页 |
| 5.4.2 阵列单元设计 | 第53-58页 |
| 5.4.3 组阵方法及阵列仿真 | 第58-64页 |
| 5.4.4 天线加工及测试 | 第64-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
