| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.1.1 无线通信系统简介 | 第12页 |
| 1.1.2 无线通信系统中的功率放大器 | 第12-13页 |
| 1.1.3 使用CMOS工艺设计功率放大器的挑战 | 第13-14页 |
| 1.2 论文研究内容和组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 功率放大器概述 | 第15-28页 |
| 2.1 功率放大器的性能指标 | 第15-18页 |
| 2.1.1 输出功率 | 第15-16页 |
| 2.1.2 效率 | 第16-17页 |
| 2.1.3 三阶交调点（3rd order intercept point, IP3） | 第17页 |
| 2.1.4 邻信道功率比（adjacent channel power ratio, ACPR） | 第17-18页 |
| 2.2 功率放大器的分类 | 第18-24页 |
| 2.2.1 线性功率放大器 | 第18-22页 |
| 2.2.2 非线性功率放大器 | 第22-24页 |
| 2.3 提升功率放大器性能的方法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 提升线性度 | 第24-26页 |
| 2.3.2 提高效率 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SOI工艺 | 第28-38页 |
| 3.1 SOI工艺简介 | 第28-31页 |
| 3.1.1 SOI工艺分类 | 第29页 |
| 3.1.2 SOI制造方法 | 第29-30页 |
| 3.1.3 SOI工艺的特点 | 第30-31页 |
| 3.2 SOI工艺与bulk CMOS工艺仿真对比 | 第31-37页 |
| 3.2.1 晶体管对比 | 第31-35页 |
| 3.2.2 电容 | 第35-36页 |
| 3.2.3 电感 | 第36-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 AB类功率放大器设计 | 第38-57页 |
| 4.1 功率放大器的要求 | 第38页 |
| 4.2 电路结构的选择 | 第38-40页 |
| 4.3 晶体管器件尺寸的选择 | 第40-44页 |
| 4.4 RF choke电感 | 第44页 |
| 4.5 级间匹配 | 第44页 |
| 4.6 输入输出匹配 | 第44-50页 |
| 4.7 偏置状态 | 第50-51页 |
| 4.8 完整的功率放大器电路 | 第51-52页 |
| 4.9 电路仿真结果 | 第52-56页 |
| 4.10 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 F类功率放大器设计 | 第57-66页 |
| 5.1 功率放大器的要求 | 第57页 |
| 5.2 功率放大器的结构 | 第57-58页 |
| 5.3 晶体管的选择 | 第58页 |
| 5.4 匹配网络的设置 | 第58-63页 |
| 5.5 完整的功率放大器电路 | 第63页 |
| 5.6 仿真结果与分析 | 第63-65页 |
| 5.7 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-67页 |
| 6.1 总结 | 第66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第70-72页 |
