摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 超材料简介及发展现状 | 第9-11页 |
1.1.1 超材料概述 | 第9-10页 |
1.1.2 超材料发展现状及研究进展 | 第10-11页 |
1.2 低散射人工电磁表面隐身技术概述 | 第11-13页 |
1.3 本论文的研究内容和安排 | 第13-15页 |
第二章 基于迭代傅里叶算法快速设计低散射人工电磁表面 | 第15-31页 |
2.1 低散射人工电磁表面的工作机理 | 第15-17页 |
2.1.1 RCS(雷达散射截面积)概念介绍 | 第15-16页 |
2.1.2 现阶段RCS缩减技术 | 第16页 |
2.1.3 低散射人工电磁表面隐身技术研究现状 | 第16-17页 |
2.2 基于傅里叶变换的阵列天线方向图快速计算机理 | 第17-21页 |
2.2.1 二维FFT技术简介 | 第17-18页 |
2.2.2 基于方向图拓展和FFT快速计算阵列天线方向图 | 第18-21页 |
2.2.3 快速计算结果验证 | 第21页 |
2.3 迭代傅里叶算法简介 | 第21-23页 |
2.3.1 远区场赋形及赋形方法 | 第21-22页 |
2.3.2 迭代步骤及流程图 | 第22-23页 |
2.4 低散射人工电磁表面的快速设计 | 第23-28页 |
2.4.1 低散射人工电磁表面的单元设计 | 第24-25页 |
2.4.2 低散射人工电磁表面的阵列设计 | 第25-26页 |
2.4.3 低散射人工电磁表面的方向图结果验证 | 第26-28页 |
2.5 低散射人工电磁表面的加工及测试 | 第28-30页 |
2.5.1 低散射人工电磁表面的加工 | 第28页 |
2.5.2 低散射人工电磁表面的测试及结果分析 | 第28-30页 |
2.6 本章小结 | 第30-31页 |
第三章 基于新型人工电磁材料的传输型低散射人工电磁表面设计 | 第31-47页 |
3.1 传输型低散射人工电磁表面的工作机理 | 第31-32页 |
3.1.1 传输型低散射人工电磁表面与反射式人工电磁表面的异同 | 第31页 |
3.1.2 传输型低散射人工电磁表面的发展现状及优势分析 | 第31-32页 |
3.2 传输型低散射人工电磁表面的背板单元设计 | 第32-35页 |
3.2.1 基于RLC的背板单元等效电路分析 | 第32-33页 |
3.2.2 背板单元的S参数仿真 | 第33-35页 |
3.3 传输型低散射人工电磁表面的正面单元设计 | 第35-39页 |
3.3.1 方环形人工电磁表面单元实现低散射特性的机理介绍 | 第35-36页 |
3.3.2 方环形低散射人工电磁表面单元移相特性曲线分析 | 第36-38页 |
3.3.3 方环形低散射人工电磁表面单元的尺寸设计 | 第38-39页 |
3.4 传输型低散射人工电磁表面的整体阵列设计 | 第39-43页 |
3.4.1 传输型低散射人工电磁表面复合单元仿真结果分析 | 第39-41页 |
3.4.2 传输型低散射人工电磁表面整体阵列仿真结果分析 | 第41-43页 |
3.5 传输型低散射人工电磁表面的加工测试及结果分析 | 第43-45页 |
3.5.1 传输型低散射人工电磁表面的测试 | 第43页 |
3.5.2 传输型低散射人工电磁表面的测试与仿真比较及结果分析 | 第43-45页 |
3.6 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 基于P-B相位结构的低散射人工电磁表面快速设计 | 第47-57页 |
4.1 P-B相位研究现状 | 第47页 |
4.2 P-B相位单元结构的工作机理 | 第47-50页 |
4.2.1 N型P-B相位单元反射幅度曲线随单元旋转角变化特性分析 | 第47-49页 |
4.2.2 N型P-B相位单元反射相位曲线随单元旋转角变化特性分析 | 第49-50页 |
4.3 基于迭代傅里叶算法的相位阵列结果分析 | 第50-51页 |
4.4 基于P-B相位结构的低散射人工电磁表面整体阵列设计 | 第51-55页 |
4.4.1 基于P-B相位结构的低散射人工电磁表面整体阵列仿真及测试结果分析 | 第53-55页 |
4.5 本章小结 | 第55-57页 |
第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
5.1 总结 | 第57-58页 |
5.2 展望 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65页 |