摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 磁光石榴石薄膜材料 | 第11-15页 |
1.2.1 石榴石的晶体结构和磁性能 | 第11-13页 |
1.2.2 YIG的掺杂改性 | 第13-14页 |
1.2.3 Bi:YIG的研究进展 | 第14页 |
1.2.4 Bi:TmIG的研究进展 | 第14-15页 |
1.3 磁光隔离器概述 | 第15-17页 |
1.3.1 磁光隔离器的工作原理 | 第15-16页 |
1.3.2 磁光隔离器的发展现状 | 第16-17页 |
1.4 石榴石膜的制备方法 | 第17-18页 |
1.5 本论文的主要研究工作及内容安排 | 第18-20页 |
第二章 Bi掺杂增强法拉第效应的机理研究 | 第20-25页 |
2.1 Bi增强法拉第效应微观机理 | 第20-22页 |
2.2 第一性原理计算 | 第22-24页 |
2.2.1 计算方法和参数介绍 | 第22页 |
2.2.2 YIG和BIG能带结构分析 | 第22-23页 |
2.2.3 YIG和BIG的态密度分析 | 第23-24页 |
2.3 本章小结 | 第24-25页 |
第三章 单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)厚膜的实验设计与表征方法 | 第25-33页 |
3.1 液相外延工艺条件 | 第25-26页 |
3.2 (BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)外延实验设计 | 第26-30页 |
3.2.1 衬底选择 | 第26-27页 |
3.2.2 熔体成分确定 | 第27页 |
3.2.3 单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜的制备 | 第27-30页 |
3.2.3.1 熔体制备 | 第27-28页 |
3.2.3.2 衬底清洗 | 第28页 |
3.2.3.3 薄膜生长控制 | 第28-30页 |
3.3 样品膜的结构与性能表征方法 | 第30-32页 |
3.3.1 物相成分与晶格失配表征 | 第30页 |
3.3.2 表面形貌表征 | 第30-31页 |
3.3.3 磁学性能表征 | 第31页 |
3.3.4 磁畴结构表征 | 第31页 |
3.3.5 法拉第效应表征 | 第31-32页 |
3.4 本章小结 | 第32-33页 |
第四章 (BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜的结构与性能分析 | 第33-48页 |
4.1 物相分析 | 第33-34页 |
4.2 表面形貌分析 | 第34-35页 |
4.3 晶格失配应力分析 | 第35-41页 |
4.3.1 失配应力分析与计算 | 第35-37页 |
4.3.2 失配应力对磁晶各向异性的影响 | 第37-38页 |
4.3.3 失配应力对膜磁性能的影响 | 第38-40页 |
4.3.4 失配应力对磁畴结构影响 | 第40-41页 |
4.3.4.1 磁畴形状分析 | 第40-41页 |
4.3.4.2 磁畴宽度分析 | 第41页 |
4.4 膜厚对磁畴结构的影响 | 第41-43页 |
4.4.1 磁畴形状分析 | 第41-42页 |
4.4.2 磁畴宽度分析 | 第42-43页 |
4.5 法拉第效应分析 | 第43-46页 |
4.5.1 不同波长下法拉第效应分析 | 第43-44页 |
4.5.2 1550 nm波长下法拉第效应分析 | 第44-46页 |
4.6 本章小结 | 第46-48页 |
第五章 磁光隔离器的设计与制作 | 第48-57页 |
5.1 磁光隔离器的主要性能指标 | 第48页 |
5.2 传统型磁光隔离器设计 | 第48-49页 |
5.3 新型磁光隔离器设计 | 第49-52页 |
5.3.1 法拉第转子设计 | 第50页 |
5.3.2 外磁场设计 | 第50-52页 |
5.3.3 光纤型磁光隔离器 | 第52页 |
5.4 器件加工与测试 | 第52-56页 |
5.4.1 法拉第转子的加工 | 第52-53页 |
5.4.2 线偏振片的选择 | 第53页 |
5.4.3 腔体的设计与加工 | 第53-54页 |
5.4.4 器件测试 | 第54-56页 |
5.4.4.1 测试步骤及注意事项 | 第54-55页 |
5.4.4.2 测试结果 | 第55-56页 |
5.5 本章小结 | 第56-57页 |
第六章 结论 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-66页 |
硕士期间所取得的研究成果 | 第66页 |