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磁光单晶石榴石厚膜材料设计、制备及其在平面化磁光隔离器中的应用研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11页
    1.2 磁光石榴石薄膜材料第11-15页
        1.2.1 石榴石的晶体结构和磁性能第11-13页
        1.2.2 YIG的掺杂改性第13-14页
        1.2.3 Bi:YIG的研究进展第14页
        1.2.4 Bi:TmIG的研究进展第14-15页
    1.3 磁光隔离器概述第15-17页
        1.3.1 磁光隔离器的工作原理第15-16页
        1.3.2 磁光隔离器的发展现状第16-17页
    1.4 石榴石膜的制备方法第17-18页
    1.5 本论文的主要研究工作及内容安排第18-20页
第二章 Bi掺杂增强法拉第效应的机理研究第20-25页
    2.1 Bi增强法拉第效应微观机理第20-22页
    2.2 第一性原理计算第22-24页
        2.2.1 计算方法和参数介绍第22页
        2.2.2 YIG和BIG能带结构分析第22-23页
        2.2.3 YIG和BIG的态密度分析第23-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第三章 单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)厚膜的实验设计与表征方法第25-33页
    3.1 液相外延工艺条件第25-26页
    3.2 (BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)外延实验设计第26-30页
        3.2.1 衬底选择第26-27页
        3.2.2 熔体成分确定第27页
        3.2.3 单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜的制备第27-30页
            3.2.3.1 熔体制备第27-28页
            3.2.3.2 衬底清洗第28页
            3.2.3.3 薄膜生长控制第28-30页
    3.3 样品膜的结构与性能表征方法第30-32页
        3.3.1 物相成分与晶格失配表征第30页
        3.3.2 表面形貌表征第30-31页
        3.3.3 磁学性能表征第31页
        3.3.4 磁畴结构表征第31页
        3.3.5 法拉第效应表征第31-32页
    3.4 本章小结第32-33页
第四章 (BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜的结构与性能分析第33-48页
    4.1 物相分析第33-34页
    4.2 表面形貌分析第34-35页
    4.3 晶格失配应力分析第35-41页
        4.3.1 失配应力分析与计算第35-37页
        4.3.2 失配应力对磁晶各向异性的影响第37-38页
        4.3.3 失配应力对膜磁性能的影响第38-40页
        4.3.4 失配应力对磁畴结构影响第40-41页
            4.3.4.1 磁畴形状分析第40-41页
            4.3.4.2 磁畴宽度分析第41页
    4.4 膜厚对磁畴结构的影响第41-43页
        4.4.1 磁畴形状分析第41-42页
        4.4.2 磁畴宽度分析第42-43页
    4.5 法拉第效应分析第43-46页
        4.5.1 不同波长下法拉第效应分析第43-44页
        4.5.2 1550 nm波长下法拉第效应分析第44-46页
    4.6 本章小结第46-48页
第五章 磁光隔离器的设计与制作第48-57页
    5.1 磁光隔离器的主要性能指标第48页
    5.2 传统型磁光隔离器设计第48-49页
    5.3 新型磁光隔离器设计第49-52页
        5.3.1 法拉第转子设计第50页
        5.3.2 外磁场设计第50-52页
        5.3.3 光纤型磁光隔离器第52页
    5.4 器件加工与测试第52-56页
        5.4.1 法拉第转子的加工第52-53页
        5.4.2 线偏振片的选择第53页
        5.4.3 腔体的设计与加工第53-54页
        5.4.4 器件测试第54-56页
            5.4.4.1 测试步骤及注意事项第54-55页
            5.4.4.2 测试结果第55-56页
    5.5 本章小结第56-57页
第六章 结论第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-66页
硕士期间所取得的研究成果第66页

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