摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 单层二硫化钼的结构 | 第9-13页 |
1.2.1 体相和单层二硫化钼结构 | 第9-11页 |
1.2.2 实验制备单层二硫化钼方法 | 第11-13页 |
1.2.2.1 剥离法 | 第11-13页 |
1.2.2.2 化学气相沉积法(CVD) | 第13页 |
1.2.2.3 高温硫化法 | 第13页 |
1.3 过渡金属掺杂单层二硫化钼的研究现状 | 第13-16页 |
1.4 单层二硫化钼表面的催化反应 | 第16-19页 |
1.4.1 一氧化碳氧化反应 | 第16页 |
1.4.2 析氢反应 | 第16-18页 |
1.4.3 氧还原反应 | 第18-19页 |
1.5 本论文主要研究内容 | 第19-20页 |
第二章 理论计算方法 | 第20-27页 |
2.1 第一性原理计算 | 第20-26页 |
2.1.1 主要近似方法 | 第20-22页 |
2.1.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第20-21页 |
2.1.1.2 Hartree-Fock近似 | 第21-22页 |
2.1.2 密度泛函理论(DFT)方法 | 第22-23页 |
2.1.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22页 |
2.1.2.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
2.1.3 交换关联泛函 | 第23-24页 |
2.1.3.1 局域密度近似(LDA) | 第23-24页 |
2.1.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第24页 |
2.1.4 DFT-D方法 | 第24-25页 |
2.1.5 赝势法 | 第25-26页 |
2.2 第一性原理计算软件简介 | 第26-27页 |
2.2.1 VASP | 第26-27页 |
第三章 过渡金属掺杂单层二硫化钼的构型和电子结构 | 第27-35页 |
3.1 概述 | 第27-28页 |
3.2 计算细节与模型 | 第28-29页 |
3.3 结果与讨论 | 第29-33页 |
3.3.1 过渡金属(Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Au、Rh、Pd、Pt和Ir)掺杂单层二硫化钼的构型优化结果 | 第29-31页 |
3.3.2 过渡金属(Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Au、Rh、Pd、Pt和Ir)掺杂单层二硫化钼的电子结构 | 第31-33页 |
3.3.2.1 Bader电荷分析 | 第31页 |
3.3.2.2 态密度分析 | 第31-33页 |
3.3.2.3 磁矩分析 | 第33页 |
3.4 本章小结 | 第33-35页 |
第四章 过渡金属掺杂的单层二硫化钼表面吸附小分子的构型和电子结构 | 第35-56页 |
4.1 概述 | 第35-36页 |
4.2 计算细节与模型 | 第36页 |
4.3 结果与讨论 | 第36-54页 |
4.3.1 TM-MoS_2表面吸附CO的构型和电子结构 | 第36-41页 |
4.3.1.1 TM-MoS_2表面吸附CO的构型优化结果 | 第36-39页 |
4.3.1.2 TM-MoS_2表面吸附CO的电子结构 | 第39-41页 |
4.3.2 TM-MoS_2表面吸附NO的构型和电子结构 | 第41-44页 |
4.3.2.1 TM-MoS_2表面吸附NO的构型优化结果 | 第41-43页 |
4.3.2.2 TM-MoS_2表面吸附NO的电子结构 | 第43-44页 |
4.3.3 TM-MoS_2表面吸附O_2的构型和电子结构 | 第44-47页 |
4.3.3.1 TM-MoS_2表面吸附O_2的构型优化结果 | 第44-46页 |
4.3.3.2 TM-MoS_2表面吸附O_2的电子结构 | 第46-47页 |
4.3.4 TM-MoS_2表面吸附NO_2的构型和电子结构 | 第47-50页 |
4.3.4.1 TM-MoS_2表面吸附NO_2的构型优化结果 | 第47-49页 |
4.3.4.2 TM-MoS_2表面吸附NO_2的电子结构 | 第49-50页 |
4.3.5 TM-MoS_2表面吸附NH_3的构型和电子结构 | 第50-53页 |
4.3.5.1 TM-MoS_2表面吸附NH_3的构型优化结果 | 第50-52页 |
4.3.5.2 TM-MoS_2表面吸附NH_3的电子结构 | 第52-53页 |
4.3.6 范德华力修正对TM-MoS_2表面吸附小分子(CO、NO、O_2、NO_2和NH_3)的影响 | 第53-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-56页 |
结论 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
在读期间公开发表论文(著)及科研情况 | 第68页 |