| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第18-34页 |
| 1.1 噻吩类化合物的性质及应用 | 第18-24页 |
| 1.1.1 噻吩在导电聚合物中的应用 | 第18-20页 |
| 1.1.2 噻吩类化合物在光固化体系中的应用 | 第20-24页 |
| 1.2 卤代芳烃的Suzuki-Miyaura偶联反应 | 第24-28页 |
| 1.2.1 Suzuki-Miyaura偶联反应简介 | 第24页 |
| 1.2.2 Suzuki偶联反应的机理 | 第24-25页 |
| 1.2.3 Suzuki偶联反应的应用 | 第25-28页 |
| 1.3 有机硅氧烷 | 第28-33页 |
| 1.3.1 有机硅氧烷的特点 | 第28页 |
| 1.3.2 有机硅氧烷的合成方法 | 第28-30页 |
| 1.3.3 硅氢加成反和催化剂简介 | 第30-32页 |
| 1.3.4 硅氢加成反应机理 | 第32-33页 |
| 1.4 论文研究的目的和意义 | 第33-34页 |
| 第二章 噻盼取代的杂环化合物的合成及表征 | 第34-68页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 试剂和仪器 | 第34-35页 |
| 2.2.1 试剂 | 第34页 |
| 2.2.2 仪器 | 第34-35页 |
| 2.3 噻吩取代的吩噻嗪类化合物的制备 | 第35-43页 |
| 2.3.1 N-烷基吩噻嗪的合成 | 第35-36页 |
| 2.3.2 溴代烷基吩噻嗪的合成 | 第36-37页 |
| 2.3.3 3-溴-7-甲酰基烷基吩噻嗪的合成 | 第37-38页 |
| 2.3.4 四三苯基膦钯(Pa(PPh3)4)的合成 | 第38-39页 |
| 2.3.5 噻吩硼酸的制备 | 第39-40页 |
| 2.3.6 噻吩取代的吩噻嗪的制备 | 第40-43页 |
| 2.4 噻吩取代的咔唑类化合物的制备 | 第43-47页 |
| 2.4.1 溴代N-乙基咔唑的制备 | 第43-45页 |
| 2.4.2 3-溴-6-甲酰基-N-乙基咔唑的制备(MBrFECz) | 第45页 |
| 2.4.3 噻吩取代的N-乙基咔唑的制备 | 第45-47页 |
| 2.5 噻吩基咔唑改性的有机硅氧烷的合成 | 第47-56页 |
| 2.5.1 溴代的N-烯丙基咔唑的制备 | 第47-48页 |
| 2.5.2 噻吩取代的N-烯丙基咔唑的制备 | 第48-49页 |
| 2.5.3 Lamoreaux催化剂的制备 | 第49页 |
| 2.5.4 噻吩取代的N-烯丙基咔唑改性的七甲基三硅氧烷的制备 | 第49-50页 |
| 2.5.5 噻吩取代的N-烯丙基咔唑改性的高含氢硅油的制备 | 第50-52页 |
| 2.5.6 噻吩取代的N-烯丙基咔唑改性的四甲基环四硅氧烷的制备 | 第52-54页 |
| 2.5.7 噻吩取代的N-烯丙基咔唑改性的环氧有机硅氧烷的制备 | 第54-56页 |
| 2.6 结果与讨论 | 第56-67页 |
| 2.6.1 噻吩取代的吩噻嗪的合成 | 第56-58页 |
| 2.6.2 噻吩取代的吩噻嗪的表征 | 第58-67页 |
| 2.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 噻吩取代的杂环化合物对碘鎓盐的增感性质 | 第68-105页 |
| 3.1 引言 | 第68页 |
| 3.2 实验部分 | 第68-71页 |
| 3.2.1 试剂 | 第68页 |
| 3.2.2 仪器 | 第68-69页 |
| 3.2.3 近红外(photo-NIR)光谱实验 | 第69-70页 |
| 3.2.4 紫外-可见吸收光谱测定 | 第70页 |
| 3.2.5 荧光光谱的测定 | 第70页 |
| 3.2.6 循环伏安曲线的测定 | 第70-71页 |
| 3.2.7 光电子转移自由能变的△G的计算 | 第71页 |
| 3.3. 结果与讨论 | 第71-103页 |
| 3.3.1 ThArs的紫外-可见吸收光谱分析 | 第71-75页 |
| 3.3.2 ThArs/ION体系的紫外-可见光谱随光照时间的变化 | 第75-78页 |
| 3.3.3 ThArs/ION体系的光电子转移及光引发机理 | 第78-82页 |
| 3.3.4 ThArs/ION的光引发活性 | 第82-97页 |
| 3.3.4.1 ThArs/ION的阳离子光引发活性 | 第82-89页 |
| 3.3.4.2 ThArs/ION的自由基光引发活性 | 第89-97页 |
| 3.3.5 ThCzSi/ION的光引发活性 | 第97-100页 |
| 3.3.5.1 ThCzSis/ION的自由基光引发活性 | 第97-99页 |
| 3.3.5.2 ThCzSi/ION的阳离子光引发活性 | 第99-100页 |
| 3.3.6 静态接触角的测试 | 第100-103页 |
| 3.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-113页 |
| 附录 | 第113-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第139-141页 |
| 作者和导师简介 | 第141-142页 |
| 附件 | 第142-143页 |
