| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 Si基薄膜光伏材料的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.1.1 α-Si:H薄膜 | 第10-11页 |
| 1.1.2 μc-Si:H薄膜 | 第11页 |
| 1.1.3 pc-Si薄膜 | 第11-12页 |
| 1.1.4 nc-Si:H薄膜 | 第12-13页 |
| 1.1.5 多层Si量子点材料 | 第13-14页 |
| 1.2 本研究课题的科学意义 | 第14页 |
| 1.3 本研究课题的主要内容 | 第14-17页 |
| 1.3.1 nc-Si:H薄膜的制备与光电特性 | 第15页 |
| 1.3.2 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的制备及光电特性 | 第15-17页 |
| 第2章 实验方法 | 第17-25页 |
| 2.1 材料制备 | 第17-19页 |
| 2.1.1 薄膜制备设备 | 第17-18页 |
| 2.1.2 衬底清洗 | 第18页 |
| 2.1.3 薄膜制备方法 | 第18-19页 |
| 2.2 测试方法 | 第19-25页 |
| 2.2.1 膜厚测量 | 第19-20页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌 | 第20页 |
| 2.2.3 多层膜剖面结构 | 第20页 |
| 2.2.4 原子键合特征 | 第20-21页 |
| 2.2.5 结晶取向 | 第21页 |
| 2.2.6 晶粒尺寸和晶化率 | 第21-22页 |
| 2.2.7 光吸收系数 | 第22-23页 |
| 2.2.8 光暗电导率 | 第23-25页 |
| 第3章 nc-Si:H薄膜的制备、结构表征与光电特性 | 第25-66页 |
| 3.1 本征nc-Si:H薄膜 | 第25-52页 |
| 3.1.1 沉积速率 | 第25-28页 |
| 3.1.2 结构表征 | 第28-43页 |
| 3.1.3 电导率 | 第43-45页 |
| 3.1.4 光吸收特性 | 第45-52页 |
| 3.2 磷掺杂nc-Si:H薄膜 | 第52-60页 |
| 3.2.1 结构表征 | 第53-58页 |
| 3.2.2 电导率 | 第58-59页 |
| 3.2.3 光吸收特性 | 第59-60页 |
| 3.3 硼掺杂nc-Si:H薄膜 | 第60-66页 |
| 3.3.1 结构表征 | 第60-64页 |
| 3.3.2 电导率 | 第64-65页 |
| 3.3.3 光吸收特性 | 第65-66页 |
| 第4章 α-Si C:H和 α-Si:H薄膜的结构表征与光电特性 | 第66-76页 |
| 4.1 α-Si C:H薄膜 | 第66-70页 |
| 4.1.1 沉积速率 | 第66-67页 |
| 4.1.2 晶化率 | 第67页 |
| 4.1.3 C含量 | 第67-68页 |
| 4.1.4 原子键合特征 | 第68-69页 |
| 4.1.5 光学带隙 | 第69-70页 |
| 4.2 α-Si:H薄膜 | 第70-76页 |
| 4.2.1 沉积速率 | 第70-71页 |
| 4.2.2 结晶取向 | 第71-72页 |
| 4.2.3 晶化率 | 第72-73页 |
| 4.2.4 原子键合特征 | 第73-74页 |
| 4.2.5 光学带隙 | 第74-75页 |
| 4.2.6 电导率 | 第75-76页 |
| 第5章 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的制备与光电特性 | 第76-93页 |
| 5.1 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜制备 | 第76-78页 |
| 5.1.1 α-Si:H/α-Si C:H多层膜的制备 | 第76页 |
| 5.1.2 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的形成 | 第76-78页 |
| 5.2 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的结构表征 | 第78-82页 |
| 5.2.1 TEM测量 | 第78-79页 |
| 5.2.2 Raman谱分析 | 第79-81页 |
| 5.2.3 键合特征 | 第81-82页 |
| 5.3 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的光吸收特性 | 第82-87页 |
| 5.3.1 势阱层厚度的影响 | 第83-85页 |
| 5.3.2 势垒层厚度的影响 | 第85页 |
| 5.3.3 退火温度的影响 | 第85-87页 |
| 5.4 多层膜的垂直输运特性 | 第87-93页 |
| 5.4.1 α-Si:H/α-Si C:H多层膜的垂直输运特性 | 第88-90页 |
| 5.4.2 nc-Si:H/α-Si C:H多层膜的垂直输运特性 | 第90-93页 |
| 第6章p-i-n型nc-Si:H薄膜太阳电池的制备与光伏性能 | 第93-97页 |
| 6.1 p-i-n型薄膜太阳电池的工作原理 | 第93-94页 |
| 6.2 p-i-n型nc-Si:H薄膜太阳电池的设计与制作 | 第94-95页 |
| 6.3 p-i-n型nc-Si:H薄膜太阳电池性能与i层厚度的关系 | 第95-97页 |
| 第7章 结论 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 博士研究生在读期间发表的论文 | 第105-106页 |
