| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 半导体光催化的研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 半导体光催化的研究 | 第15-16页 |
| 1.3 光电催化的研究 | 第16-17页 |
| 1.4 高级氧化技术 | 第17页 |
| 1.5 石墨相氮化碳 | 第17-24页 |
| 1.5.1 氮化碳的发展 | 第17-18页 |
| 1.5.2 氮化碳的结构及形成 | 第18-19页 |
| 1.5.3 氮化碳的光催化应用 | 第19-21页 |
| 1.5.4 氮化碳的改性 | 第21-24页 |
| 1.6 钒酸铋 | 第24页 |
| 1.7 本论文选题意义及工作设想 | 第24-28页 |
| 1.7.1 选题意义 | 第24-26页 |
| 1.7.2 本文研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 NaOH溶剂插层法剥离g-C_3N_4纳米片及其光催化性能测试 | 第28-37页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-30页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第29页 |
| 2.2.2 试验方法 | 第29-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-36页 |
| 2.3.1 g-C_3N_4纳米片的物理化学性能表征 | 第30-34页 |
| 2.3.2 g-C_3N_4纳米片的光催化降解Cr(Ⅵ) | 第34-35页 |
| 2.3.3 g-C_3N_4纳米片的产量及剥离机制 | 第35-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 静电纺丝制备g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极及其光电性能测试 | 第37-52页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-41页 |
| 3.2.1 g-C_3N_4纳米片的合成 | 第38页 |
| 3.2.2 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极的制备 | 第38-39页 |
| 3.2.3 物理性能表征及光电性能测试 | 第39-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-50页 |
| 3.3.1 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极的制备与表征 | 第41-47页 |
| 3.3.2 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极的光电化学反应 | 第47-50页 |
| 3.4 小结 | 第50-52页 |
| 第四章 H_2O_2协同g-C_3N_4/BiVO_4复合电极降解双氯芬酸钠 | 第52-66页 |
| 4.1 前言 | 第52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-54页 |
| 4.2.1 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜制备 | 第52-53页 |
| 4.2.2 光电催化表征 | 第53页 |
| 4.2.3 光电催化降解实验 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-65页 |
| 4.3.1 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极物理性质表征 | 第54-55页 |
| 4.3.2 g-C_3N_4/BiVO_4薄膜电极光电响应表征 | 第55页 |
| 4.3.3 不同光电阳极对DCF的降解 | 第55-57页 |
| 4.3.4 H_2O_2对DCF降解的促进作用 | 第57-61页 |
| 4.3.5 DCF降解过程中的活性自由基 | 第61-63页 |
| 4.3.6 DCF降解产物及路径 | 第63-65页 |
| 4.4 小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-69页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 主要创新点 | 第67-68页 |
| 5.3 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
| 1 作者简历 | 第82页 |
| 2 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第82页 |
| 3 参与的科研项目及获奖情况 | 第82-83页 |
| 学位论文数据集 | 第83页 |
