| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 一维纳米材料的应用 | 第11-17页 |
| 1.2.1 纳米管/线场效应晶体管 | 第11-12页 |
| 1.2.2 纳米传感器 | 第12-14页 |
| 1.2.3 纳米线基医学和生命学传感器 | 第14页 |
| 1.2.4 纳米发电机 | 第14-17页 |
| 1.3 半导体纳米材料外场加载下电学输运性能的研究现状 | 第17-24页 |
| 1.3.1 实验方面的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3.2 计算模拟方面的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.4 本文主要研究的内容及意义 | 第24-26页 |
| 第2章 实验仪器与实验方法 | 第26-32页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验仪器 | 第26-31页 |
| 2.2.1 STM-TEM 简介 | 第27-28页 |
| 2.2.2 TEM 简介 | 第28-29页 |
| 2.2.3 SEM 简介 | 第29-30页 |
| 2.2.4 光学显微镜 | 第30页 |
| 2.2.5 电化学腐蚀钨针尖装置简介 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 应变加载下半导体纳米线电输运性能的原位研究 | 第32-54页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 单根 Si 纳米线弯曲应变下的电学输运性能 | 第33-43页 |
| 3.2.1 Si 纳米线的制备及表征 | 第33-35页 |
| 3.2.2 样品操控与电学性能测试 | 第35-36页 |
| 3.2.3 纳米线弯曲应变的计算方法 | 第36-37页 |
| 3.2.4 Si 纳米线弯曲应变下的电学输运性能研究 | 第37-40页 |
| 3.2.5 塑性对 Si 纳米线电学输运性能影响 | 第40-43页 |
| 3.4 单根 InGaAs 纳米线弯曲应变下的电学输运性能 | 第43-50页 |
| 3.4.1 InGaAs 纳米线的结构表征 | 第44-45页 |
| 3.4.2 InGaAs 纳米线弯曲应变下的电学输运性能研究 | 第45-50页 |
| 3.5 单根 GaAs 纳米线弯曲应变下的电学输运性能 | 第50-53页 |
| 3.5.1 GaAs 纳米线的结构表征 | 第50-51页 |
| 3.5.2 GaAs 纳米线弯曲应变下的电学输运性能研究 | 第51-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 电场加载下半导体纳米线的结构演变及电学性能变化的研究 | 第54-72页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 电场加载下半导体纳米线的结构演变和电学性能变化 | 第54-60页 |
| 4.2.1 透射电镜中单根纳米线的操控 | 第54-55页 |
| 4.2.2 透射电镜中对单根半导体纳米线加载电场的原位实验 | 第55-60页 |
| 4.3 电场加载下半导体纳米线性能变化的原理讨论 | 第60-66页 |
| 4.4 透射电镜中以半导体纳米线为模板原位形成单根碳纳米管 | 第66-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
