| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 多孔材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN材料的研究概述 | 第10-16页 |
| 1.2.1 GaN材料的特性和制备 | 第11-14页 |
| 1.2.2 GaN材料的发展和应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 多孔GaN材料的发展和应用 | 第15-16页 |
| 1.3 AlN材料的研究概述 | 第16-20页 |
| 1.3.1 AlN材料的特性和制备 | 第16-18页 |
| 1.3.2 AlN材料的发展和应用 | 第18-19页 |
| 1.3.3 多孔AlN材料的发展和应用 | 第19-20页 |
| 1.4 本课题的研究背景及意义 | 第20-21页 |
| 2 实验方案及方法 | 第21-29页 |
| 2.1 技术路线和试验方法 | 第21-22页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第22页 |
| 2.2 初始合金粉末制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 初始合金的制备 | 第22-24页 |
| 2.2.2 合金片的固溶处理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 研磨成粉 | 第25页 |
| 2.3 实验方案 | 第25-26页 |
| 2.3.1 氮化工艺的确定 | 第25页 |
| 2.3.2 酸洗除杂 | 第25-26页 |
| 2.4 组织观察与性能检测 | 第26-29页 |
| 2.4.1 金相组织观察 | 第26页 |
| 2.4.2 物相分析 | 第26-27页 |
| 2.4.3 显微组织观察 | 第27页 |
| 2.4.4 光致发光测试(PL) | 第27-28页 |
| 2.4.5 比表面积及孔径分布测试 | 第28-29页 |
| 3 Mg-Al合金的预处理及氮化工艺的确定 | 第29-39页 |
| 3.1 Mg-Al合金固溶结果分析 | 第29-30页 |
| 3.2 Mg-Al合金氮化工艺的确定 | 第30-39页 |
| 3.2.1 氮化温度的确定 | 第30-31页 |
| 3.2.2 氮化时间的确定 | 第31-32页 |
| 3.2.3 氮化步数的确定 | 第32-35页 |
| 3.2.4 初始合金成分对氮化工艺的影响 | 第35-39页 |
| 4 氮化工艺对AlN结构的影响及AlN性能测试结果与分析 | 第39-51页 |
| 4.1 氮化工艺对AlN结构的影响 | 第39-45页 |
| 4.1.1 第一步氮化温度对AlN结构的影响 | 第39-40页 |
| 4.1.2 第二步氮化温度对AlN结构的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.3 第三步氮化温度对AlN结构的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.4 第三步氮化保温时间对AlN形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 初始合金成分对AlN结构的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 初始合金粒度对AlN结构的影响 | 第46-48页 |
| 4.4 BET比表面积及BJH孔径分析 | 第48-51页 |
| 5 Mg-Ga合金氮化工艺的确定 | 第51-57页 |
| 5.1 Mg-Ga合金氮化温度的确定 | 第51-53页 |
| 5.1.1 升高氮化温度对Ga单质转化的影响 | 第52页 |
| 5.1.2 降低氮化温度对Ga单质转化的影响 | 第52-53页 |
| 5.2 Mg-Ga合金氮化时间的确定 | 第53页 |
| 5.3 Mg3GaN3的消除 | 第53-57页 |
| 6 不同氮化工艺对GaN结构的影响及GaN性能测试结果与分析 | 第57-63页 |
| 6.1 氮化工艺对GaN结构的影响 | 第57-58页 |
| 6.1.1 氮化温度对GaN结构的影响 | 第57页 |
| 6.1.2 氮化时间对GaN结构的影响 | 第57-58页 |
| 6.2 初始合金成分配比对GaN粉末微观形貌的影响 | 第58-60页 |
| 6.3 初始合金粒度对GaN粉末形貌的影响 | 第60-61页 |
| 6.4 PL光谱分析 | 第61页 |
| 6.5 BET比表面积及BJH孔径分析 | 第61-63页 |
| 7 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间所发表论文、专利及奖励 | 第73页 |
