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50Hz工频磁场暴露对FL细胞线粒体相关凋亡通路的影响

致谢第4-6页
中文摘要第6-8页
Abstract第8-9页
缩略语第10-13页
1 引言第13-16页
2 实验材料第16-21页
    2.1 细胞及培养液第16页
    2.2 主要试剂第16-17页
    2.3 主要仪器设备第17-18页
    2.4 主要耗材第18页
    2.5 缓冲液与常用试剂配制第18-19页
    2.6 工频磁场辐照系统第19-20页
    2.7 分析软件第20-21页
3 实验方法第21-27页
    3.1 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜通透性的影响第21-22页
    3.2 ROS对工频磁场诱导线粒体膜通透性改变的影响第22页
    3.3 工频磁场暴露对线粒体膜电位的影响第22-23页
    3.4 工频磁场暴露对细胞色素C释放的影响第23-25页
    3.5 工频磁场对FL细胞凋亡水平的影响第25-27页
4. 实验结果第27-33页
    4.1 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜通透性的影响第27-28页
    4.2 工频磁场诱导FL细胞线粒体膜通透性改变与ROS之间关系第28页
    4.3 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜电位的影响第28-30页
    4.4 工频磁场暴露对FL细胞线粒体细胞色素C释放的影响第30-31页
    4.5 工频磁场暴露对FL细胞细胞凋亡的影响第31-33页
5. 讨论第33-37页
6. 结论第37-38页
参考文献第38-42页
综述第42-53页
    参考文献第48-53页
作者简介第53页

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