| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 引言 | 第9-23页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 微波合成SiC的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 实验研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 理论计算现状 | 第11-12页 |
| 1.3 微波加热及数值计算方法 | 第12-14页 |
| 1.3.1 微波加热的特点 | 第12页 |
| 1.3.2 微波加热原理 | 第12-13页 |
| 1.3.3 有限元法 | 第13-14页 |
| 1.3.4 边界元法 | 第14页 |
| 1.3.5 有限差分法 | 第14页 |
| 1.4 分子动力学模拟方法 | 第14-16页 |
| 1.4.1 分子动力学模拟软件 | 第14-15页 |
| 1.4.2 MaterialsStudio软件在材料领域中的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 第一性原理和CASTEP模块理论 | 第16-21页 |
| 1.5.1 绝热近似 | 第16-18页 |
| 1.5.2 单电子近似 | 第18-19页 |
| 1.5.3 密度泛函理论 | 第19-20页 |
| 1.5.4 CASTEP模块理论 | 第20-21页 |
| 1.6 选题目的及意义 | 第21页 |
| 1.7 课题的主要内容和创新点 | 第21-23页 |
| 1.7.1 课题的主要内容 | 第21-22页 |
| 1.7.2 课题的创新点 | 第22-23页 |
| 2 微波谐振模式对电场分布的影响 | 第23-34页 |
| 2.1 矩形波导 | 第23页 |
| 2.2 微波谐振腔 | 第23-25页 |
| 2.3 矩形波导谐振腔内电场分布模拟 | 第25-34页 |
| 2.3.1 不同位置处C的电场分布 | 第26-29页 |
| 2.3.2 不同位置的C对样品外部电场的影响 | 第29-32页 |
| 2.3.3 样品数量对电场分布的影响 | 第32-34页 |
| 3 SiC合成过程中材料内部温场分布 | 第34-54页 |
| 3.1 微波热耦合控制方程 | 第34-36页 |
| 3.2 微波加热碳的动态过程模拟 | 第36-44页 |
| 3.2.1 建模及参数设置 | 第36-39页 |
| 3.2.2 碳的温度变化过程及微波损耗特征 | 第39-42页 |
| 3.2.3 碳的介电损耗与电导损耗的变化特性 | 第42-44页 |
| 3.3 模拟分析微波热效应的影响因素 | 第44-54页 |
| 3.3.1 复介电常数的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.2 电导率的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 微波输入功率的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.4 保温结构的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.5 杂质的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.6 加热时间的影响 | 第52-54页 |
| 4 微波场中原子扩散增强机制模拟 | 第54-58页 |
| 4.1 碳的电场强化机制模拟 | 第54-55页 |
| 4.2 模拟分析碳原子扩散增强的影响因素 | 第55-58页 |
| 4.2.1 电场作用下石墨超晶胞的分子动力学过程模拟 | 第55-56页 |
| 4.2.2 空位对C原子扩散的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.3 S原子掺杂对C原子扩散的影响 | 第57-58页 |
| 5 结论和展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 作者简历 | 第63页 |