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掺铝氧化锌薄膜的制备及其光电性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
目录第7-9页
引言第9-10页
1 绪论第10-13页
    1.1 半导体物理简介第10页
    1.2 半导体起源第10页
    1.3 半导体材料第10-12页
        1.3.1 氮化镓第11页
        1.3.2 三氧化二铝第11页
        1.3.3 碳化硅第11页
        1.3.4 氧化锌第11-12页
    1.4 半导体材料的分类第12-13页
        1.4.1 元素半导体材料第12页
        1.4.2 有机半导体材料第12页
        1.4.3 非晶半导体材料第12页
        1.4.4 化合物半导体材料第12-13页
2 半导体材料ZnO第13-21页
    2.1 ZnO纳米材料的应用第13-15页
        2.1.1 ZnO纳米激光器第13页
        2.1.2 ZnO的传输特性第13页
        2.1.3 ZnO纳米传感器第13-14页
        2.1.4 纳米发电机第14-15页
        2.1.5 ZnO纳米阵列场发射阴极第15页
    2.2 ZnO薄膜的结构及基本性质第15-18页
        2.2.1 ZnO薄膜的结构第15-16页
        2.2.2 ZnO薄膜的基本性质第16-18页
    2.3 ZnO薄膜的应用第18-19页
        2.3.1 太阳能电池第18-19页
        2.3.2 表面声波器件第19页
        2.3.3 气敏压敏元件第19页
    2.4 ZnO薄膜的产业化前景第19-21页
3 ZnO薄膜的制备方法与相关表征第21-38页
    3.1 ZnO薄膜的制备方法第21-25页
        3.1.1 磁控溅射法第21页
        3.1.2 脉冲激光沉积法第21-22页
        3.1.3 溶胶凝胶法第22页
        3.1.4 金属有机物气相沉积法第22-23页
        3.1.5 分子束外延法第23页
        3.1.6 原子层外延法第23-24页
        3.1.7 超声喷雾热解法第24-25页
    3.2 ZnO薄膜的表征方法第25-28页
        3.2.1 扫描电子显微镜第25-26页
        3.2.2 紫外分光光度计第26页
        3.2.3 光致发光光谱第26-27页
        3.2.4 X射线衍射第27-28页
    3.3 Al掺杂ZnO薄膜第28-34页
        3.3.1 ZAO的结构第29-30页
        3.3.2 ZAO的性质第30-32页
        3.3.3 ZAO的应用简介第32-33页
        3.3.4 ZAO的研究前景第33-34页
    3.4 制备ZAO实验第34-38页
        3.4.1 实验设备第34-35页
        3.4.2 实验材料第35页
        3.4.3 实验步骤第35-38页
4 实验结果及分析第38-52页
    4.1 ZAO薄膜的光致发光谱分析第38-41页
    4.2 ZAO薄膜的紫外可见光吸收图谱分析第41-44页
    4.3 ZAO薄膜的表面形貌分析第44-48页
    4.4 ZAO薄膜的X射线衍射分析第48-50页
    4.5 ZAO薄膜的霍尔效应测试分析第50-52页
总结第52-53页
参考文献第53-58页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第58-59页
致谢第59页

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