掺铝氧化锌薄膜的制备及其光电性能研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
目录 | 第7-9页 |
引言 | 第9-10页 |
1 绪论 | 第10-13页 |
1.1 半导体物理简介 | 第10页 |
1.2 半导体起源 | 第10页 |
1.3 半导体材料 | 第10-12页 |
1.3.1 氮化镓 | 第11页 |
1.3.2 三氧化二铝 | 第11页 |
1.3.3 碳化硅 | 第11页 |
1.3.4 氧化锌 | 第11-12页 |
1.4 半导体材料的分类 | 第12-13页 |
1.4.1 元素半导体材料 | 第12页 |
1.4.2 有机半导体材料 | 第12页 |
1.4.3 非晶半导体材料 | 第12页 |
1.4.4 化合物半导体材料 | 第12-13页 |
2 半导体材料ZnO | 第13-21页 |
2.1 ZnO纳米材料的应用 | 第13-15页 |
2.1.1 ZnO纳米激光器 | 第13页 |
2.1.2 ZnO的传输特性 | 第13页 |
2.1.3 ZnO纳米传感器 | 第13-14页 |
2.1.4 纳米发电机 | 第14-15页 |
2.1.5 ZnO纳米阵列场发射阴极 | 第15页 |
2.2 ZnO薄膜的结构及基本性质 | 第15-18页 |
2.2.1 ZnO薄膜的结构 | 第15-16页 |
2.2.2 ZnO薄膜的基本性质 | 第16-18页 |
2.3 ZnO薄膜的应用 | 第18-19页 |
2.3.1 太阳能电池 | 第18-19页 |
2.3.2 表面声波器件 | 第19页 |
2.3.3 气敏压敏元件 | 第19页 |
2.4 ZnO薄膜的产业化前景 | 第19-21页 |
3 ZnO薄膜的制备方法与相关表征 | 第21-38页 |
3.1 ZnO薄膜的制备方法 | 第21-25页 |
3.1.1 磁控溅射法 | 第21页 |
3.1.2 脉冲激光沉积法 | 第21-22页 |
3.1.3 溶胶凝胶法 | 第22页 |
3.1.4 金属有机物气相沉积法 | 第22-23页 |
3.1.5 分子束外延法 | 第23页 |
3.1.6 原子层外延法 | 第23-24页 |
3.1.7 超声喷雾热解法 | 第24-25页 |
3.2 ZnO薄膜的表征方法 | 第25-28页 |
3.2.1 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
3.2.2 紫外分光光度计 | 第26页 |
3.2.3 光致发光光谱 | 第26-27页 |
3.2.4 X射线衍射 | 第27-28页 |
3.3 Al掺杂ZnO薄膜 | 第28-34页 |
3.3.1 ZAO的结构 | 第29-30页 |
3.3.2 ZAO的性质 | 第30-32页 |
3.3.3 ZAO的应用简介 | 第32-33页 |
3.3.4 ZAO的研究前景 | 第33-34页 |
3.4 制备ZAO实验 | 第34-38页 |
3.4.1 实验设备 | 第34-35页 |
3.4.2 实验材料 | 第35页 |
3.4.3 实验步骤 | 第35-38页 |
4 实验结果及分析 | 第38-52页 |
4.1 ZAO薄膜的光致发光谱分析 | 第38-41页 |
4.2 ZAO薄膜的紫外可见光吸收图谱分析 | 第41-44页 |
4.3 ZAO薄膜的表面形貌分析 | 第44-48页 |
4.4 ZAO薄膜的X射线衍射分析 | 第48-50页 |
4.5 ZAO薄膜的霍尔效应测试分析 | 第50-52页 |
总结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-58页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
致谢 | 第59页 |