中文摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 半导体光催化技术研究简介 | 第10-12页 |
1.2.1 半导体光催化反应的基本原理 | 第10-12页 |
1.2.2 半导体光催化技术的应用 | 第12页 |
1.3 半导体光催化剂研究简介 | 第12-14页 |
1.3.1 宽带隙半导体光催化剂 | 第13页 |
1.3.2 窄带隙半导体光催化剂 | 第13-14页 |
1.4 纳米BiVO_4的研究及活性提高策略 | 第14-20页 |
1.4.1 纳米BiVO_4的性质 | 第14-15页 |
1.4.2 纳米BiVO_4的研究现状 | 第15-16页 |
1.4.3 纳米BiVO_4光催化活性的影响因素 | 第16页 |
1.4.4 BiVO_4光催化材料的活性提高策略 | 第16-20页 |
1.5 纳米SnO_2研究简介 | 第20页 |
1.5.1 纳米SnO_2的性质 | 第20页 |
1.5.2 纳米SnO_2的研究现状 | 第20页 |
1.6 课题的立项依据及研究的内容 | 第20-24页 |
1.6.1 课题的立题依据 | 第20-22页 |
1.6.2 研究内容及意义 | 第22-24页 |
第2章 实验材料及实验方法 | 第24-34页 |
2.1 实验试剂和仪器 | 第24-26页 |
2.1.1 实验试剂 | 第24-25页 |
2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
2.2 催化剂的表征方法 | 第26-31页 |
2.2.1 X射线衍射 | 第26页 |
2.2.2 紫外-可见漫反射光谱 | 第26-27页 |
2.2.3 扫描电子显微镜 | 第27页 |
2.2.4 透射电子显微镜 | 第27页 |
2.2.5 光致发光光谱 | 第27-28页 |
2.2.6 傅立叶变换红外光谱 | 第28页 |
2.2.7 X射线光电子能谱 | 第28页 |
2.2.8 比表面积测试 | 第28页 |
2.2.9 稳态表面光电压谱 | 第28-29页 |
2.2.10 瞬态表面光电压谱 | 第29-30页 |
2.2.11 光电化学测试系统 | 第30-31页 |
2.3 罗丹明B吸附测试 | 第31页 |
2.4 羟基自由基测试 | 第31-32页 |
2.5 催化剂光催化活性评价 | 第32-34页 |
2.5.1 二氧化碳还原测试 | 第32页 |
2.5.2 降解2,4-二氯苯酚 | 第32-34页 |
第3章 SnO_2复合改性对BiVO_4纳米片可见光催化性能的影响 | 第34-54页 |
3.1 前言 | 第34-35页 |
3.2 BiVO_4纳米片的控制合成及其可见光催化性能 | 第35-44页 |
3.2.1 样品制备 | 第35页 |
3.2.2 BiVO_4纳米片的结构表征 | 第35-39页 |
3.2.3 BiVO_4纳米片的光生电荷分离性质 | 第39-40页 |
3.2.4 BiVO_4纳米片的光催化性能 | 第40-41页 |
3.2.5 水热温度及pH值对控制合成BiVO_4纳米片的影响 | 第41-44页 |
3.3 SnO_2复合对BiVO_4可见光催化性能的影响 | 第44-52页 |
3.3.1 样品制备 | 第44页 |
3.3.2 SnO_2/BiVO_4复合体的结构表征 | 第44-46页 |
3.3.3 SnO_2/BiVO_4复合体的光生电荷分离性质 | 第46-49页 |
3.3.4 SnO_2/BiVO_4复合体的光催化性能 | 第49-50页 |
3.3.5 SnO_2/BiVO_4复合体的电荷分离提高机制 | 第50-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-54页 |
第4章 硅氧桥联对SnO_2/BiVO_4复合体可见光催化性能的影响 | 第54-69页 |
4.1 前言 | 第54-55页 |
4.2 样品制备 | 第55页 |
4.3 结果与讨论 | 第55-68页 |
4.3.1 结构表征 | 第55-58页 |
4.3.2 光生电荷分离性质 | 第58-61页 |
4.3.3 可见光催化活性 | 第61-64页 |
4.3.4 电荷分离提高机制 | 第64-67页 |
4.3.5 光催化降解2,4-二氯苯酚机理分析 | 第67-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-69页 |
结论 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第83页 |