| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.1.1 一维AlN纳米材料历史发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 一维AlN纳米材料性能 | 第10-11页 |
| 1.1.3 一维AlN纳米材料的应用前景 | 第11-12页 |
| 1.2 AlN一维纳米结构材料制备方法 | 第12-17页 |
| 1.2.1 直接氮化法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 催化剂辅助生长法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 弧光放电法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 气相沉积法 | 第15页 |
| 1.2.5 一维AlN纳米结构的阵列制备方法 | 第15-17页 |
| 第2章 表征手段与第一性原理 | 第17-23页 |
| 2.1 测试分析设备介绍 | 第17-19页 |
| 2.1.1 X射线衍射仪 | 第17页 |
| 2.1.2 扫描电子显微镜 | 第17-18页 |
| 2.1.3 透射电子显微镜 | 第18页 |
| 2.1.4 紫外-可见光分光光度计 | 第18-19页 |
| 2.1.5 矢量网络分析仪 | 第19页 |
| 2.2 计算原理分析 | 第19-23页 |
| 2.2.1 多粒子系统薛定谔 | 第19-20页 |
| 2.2.2 绝热近似和自洽近似 | 第20-21页 |
| 2.2.3 密度泛函理论 | 第21-22页 |
| 2.2.4 MaterialsStudio软件介绍 | 第22-23页 |
| 第3章 AlN纳米线阵列制备和测试 | 第23-38页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 AlN纳米线阵列的制备 | 第23-27页 |
| 3.2.1 实验原料及设备 | 第23-24页 |
| 3.2.2 PS球模板的制备 | 第24-25页 |
| 3.2.3 Al纳米颗粒模板制备 | 第25-26页 |
| 3.2.4 Al纳米线阵列制备 | 第26-27页 |
| 3.3 AlN纳米线阵列的表征 | 第27-35页 |
| 3.3.1 X射线衍射分析 | 第27-28页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第28-30页 |
| 3.3.3 透射电子显微镜分析 | 第30-31页 |
| 3.3.4 紫外-可见光分光光度计分析 | 第31-34页 |
| 3.3.5 AlN纳米线阵列的吸波性能 | 第34-35页 |
| 3.4 AlN纳米线阵列生长机理分析 | 第35-36页 |
| 3.5 章节小结 | 第36-38页 |
| 第4章 AlN纳米线的计算分析 | 第38-47页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 物理模型和计算方法 | 第38-39页 |
| 4.2.1 计算过程 | 第38页 |
| 4.2.2 结构优化 | 第38-39页 |
| 4.2.3 态密度 | 第39页 |
| 4.3 结构优化 | 第39页 |
| 4.4 能带和态密度分析 | 第39-41页 |
| 4.5 吸收光谱分析 | 第41-42页 |
| 4.6 反射光谱分析 | 第42-43页 |
| 4.7 介电函数分析 | 第43-45页 |
| 4.8 章节小结 | 第45-47页 |
| 第5章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 在学研究成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |