| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 MIM电容在集成电路中的应用 | 第7-8页 |
| 1.2 射频集成电路用MIM电容的技术要求 | 第8-10页 |
| 1.3 高K介质薄膜的淀积方法 | 第10-11页 |
| 1.4 基于高K介质的MIM电容的研究 | 第11-15页 |
| 1.4.1 基于单层介质的MIM电容的研究 | 第12-14页 |
| 1.4.2 基于叠层介质的MIM电容的研究 | 第14-15页 |
| 1.5 挑战与难题 | 第15页 |
| 1.6 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 反应溅射HfO_2与HfSi_xO_y介质MIM电容的比较研究 | 第16-25页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 反应溅射HfO_2与HfSi_xO_y介质MIM电容的制备 | 第16-17页 |
| 2.3 X射线光电子能谱(XPS)基本原理和相对浓度计算 | 第17-18页 |
| 2.4 溅射生长薄膜的XPS特性 | 第18-22页 |
| 2.5 HfO_2与HfSi_xO_y介质MIM电容的电学特性 | 第22-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 等离子体增强原子层淀积SiO_2薄膜研究 | 第25-47页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 实验部分 | 第25-28页 |
| 3.3 衬底温度对原子层淀积SiO_2薄膜的影响 | 第28-38页 |
| 3.4 O_2脉冲时间对原子层淀积SiO_2薄膜的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 原子层淀积SiO_2介质的MIM电容 | 第39-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 原子层淀积SiO_2/HfO_2/SiO_2介质MIM电容的研究 | 第47-52页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 SiO_2/HfO_2/SiO_2介质MIM电容的制备 | 第47-48页 |
| 4.3 SiO_2/HfO_2/SiO_2介质MIM电容的电学特性 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 硕士期间研究成果 | 第60-61页 |
