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IV和VA族新型纳米材料的电子结构、性能调控及其与酶相互作用的理论研究

中文摘要第4-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第14-28页
    1.1 碳纳米材料性质及其在生物医学领域的应用简述第16-19页
    1.2 硅基纳米材料的研究现状第19-22页
        1.2.1 零维硅纳米颗粒在生物领域的应用第19-20页
        1.2.2 二维硅烯和硅烷材料第20-22页
    1.3 新型VA族二维材料第22-24页
    1.4 纳米材料对酶的作用与影响第24-25页
    1.5 本论文的研究意义及结构安排第25-28页
第二章 计算模拟理论方法第28-42页
    2.1 材料模拟概述第28-29页
    2.2 密度泛函方法理论基础第29-37页
        2.2.1 第一性原理简介第29-31页
        2.2.2 密度泛函理论第31-34页
        2.2.3 基于密度泛函的紧束缚方法(DFTB)第34-37页
    2.3 分子动力学方法介绍第37-39页
    2.4 过渡态搜索第39-40页
    2.5 本论文中使用的计算软件简介第40-42页
第三章 过渡金属原子对二维硅烯材料磁性的调控第42-52页
    3.1 研究背景第42-43页
    3.2 计算方法与建模第43页
    3.3 结果与讨论第43-50页
    3.4 本章小结第50-52页
第四章 二维Ⅲ-VA族化合物衬底对硅烯电子结构的影响与调控第52-65页
    4.1 研究背景第52-54页
    4.2 计算方法第54页
    4.3 结果与讨论第54-64页
        4.3.1 硅烯与Ⅲ-VA族化合物衬底不同堆积方式第54-60页
        4.3.2 Ⅲ-VA化合物衬底对硅烯电子性质的调控第60-62页
        4.3.3 电场对硅烯电子结构的调控第62-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第五章 紧束缚方法研究硅烷脱氢的电子结构变化第65-77页
    5.1 研究背景第65-66页
    5.2 结构和方法第66-67页
    5.3 结果和讨论第67-76页
        5.3.1 DFTB参数的验证第67-70页
        5.3.2 硅烷脱氢结构的研究第70-73页
        5.3.3 电子性质的研究第73-76页
    5.4 本章小结第76-77页
第六章 新型二维材料砷烯和锑烯缺陷结构的理论研究第77-90页
    6.1 研究背景第77-78页
    6.2 计算方法和建模第78-79页
    6.3 结果与讨论第79-88页
        6.3.1 点缺陷结构第80-82页
        6.3.2 点缺陷在砷烯锑烯上的迁移第82-84页
        6.3.3 新型材料上点缺陷的电子性质及磁性第84-88页
    6.4 本章小结第88-90页
第七章 氧化石墨烯作为优异酶抑制剂的动力学研究第90-108页
    7.1 研究背景第90-91页
    7.2 结构模型及研究方法第91-94页
        7.2.1 结构模型第91-93页
        7.2.2 动力学模拟第93-94页
    7.3 结果和讨论第94-107页
        7.3.1 ChT吸附在石墨烯或者氧化石墨烯表面第94-101页
        7.3.2 GO对ChT活性位点的影响第101-104页
        7.3.3 GO对His57质子化前后的ChT的影响第104-105页
        7.3.4 GO对胰蛋白酶的影响第105-107页
    7.4 本章小结第107-108页
第八章 硅纳米粒子对几种酶影响作用机制的动力学研究第108-129页
    8.1 研究背景第108-109页
    8.2 模型和方法第109-112页
        8.2.1 准备结构第109-110页
        8.2.2 动力学模拟第110-112页
    8.3 结果讨论第112-128页
        8.3.1 SNPs可以使得酶吸附在表面第115-119页
        8.3.2 SNPs对酶构型的影响第119-122页
        8.3.3 不同直径SNPs对酶的活性位点的调控第122-124页
        8.3.4 不同修饰硅纳米颗粒表面对酶的影响第124-128页
    8.4 本章小结第128-129页
第九章 总结和展望第129-132页
本论文创新点第132-133页
参考文献第133-160页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第160-162页
    已发表和待发表论文第160-161页
    参加国内外学术会议第161-162页
致谢第162-164页

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