中文摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
1.1 碳纳米材料性质及其在生物医学领域的应用简述 | 第16-19页 |
1.2 硅基纳米材料的研究现状 | 第19-22页 |
1.2.1 零维硅纳米颗粒在生物领域的应用 | 第19-20页 |
1.2.2 二维硅烯和硅烷材料 | 第20-22页 |
1.3 新型VA族二维材料 | 第22-24页 |
1.4 纳米材料对酶的作用与影响 | 第24-25页 |
1.5 本论文的研究意义及结构安排 | 第25-28页 |
第二章 计算模拟理论方法 | 第28-42页 |
2.1 材料模拟概述 | 第28-29页 |
2.2 密度泛函方法理论基础 | 第29-37页 |
2.2.1 第一性原理简介 | 第29-31页 |
2.2.2 密度泛函理论 | 第31-34页 |
2.2.3 基于密度泛函的紧束缚方法(DFTB) | 第34-37页 |
2.3 分子动力学方法介绍 | 第37-39页 |
2.4 过渡态搜索 | 第39-40页 |
2.5 本论文中使用的计算软件简介 | 第40-42页 |
第三章 过渡金属原子对二维硅烯材料磁性的调控 | 第42-52页 |
3.1 研究背景 | 第42-43页 |
3.2 计算方法与建模 | 第43页 |
3.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 二维Ⅲ-VA族化合物衬底对硅烯电子结构的影响与调控 | 第52-65页 |
4.1 研究背景 | 第52-54页 |
4.2 计算方法 | 第54页 |
4.3 结果与讨论 | 第54-64页 |
4.3.1 硅烯与Ⅲ-VA族化合物衬底不同堆积方式 | 第54-60页 |
4.3.2 Ⅲ-VA化合物衬底对硅烯电子性质的调控 | 第60-62页 |
4.3.3 电场对硅烯电子结构的调控 | 第62-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 紧束缚方法研究硅烷脱氢的电子结构变化 | 第65-77页 |
5.1 研究背景 | 第65-66页 |
5.2 结构和方法 | 第66-67页 |
5.3 结果和讨论 | 第67-76页 |
5.3.1 DFTB参数的验证 | 第67-70页 |
5.3.2 硅烷脱氢结构的研究 | 第70-73页 |
5.3.3 电子性质的研究 | 第73-76页 |
5.4 本章小结 | 第76-77页 |
第六章 新型二维材料砷烯和锑烯缺陷结构的理论研究 | 第77-90页 |
6.1 研究背景 | 第77-78页 |
6.2 计算方法和建模 | 第78-79页 |
6.3 结果与讨论 | 第79-88页 |
6.3.1 点缺陷结构 | 第80-82页 |
6.3.2 点缺陷在砷烯锑烯上的迁移 | 第82-84页 |
6.3.3 新型材料上点缺陷的电子性质及磁性 | 第84-88页 |
6.4 本章小结 | 第88-90页 |
第七章 氧化石墨烯作为优异酶抑制剂的动力学研究 | 第90-108页 |
7.1 研究背景 | 第90-91页 |
7.2 结构模型及研究方法 | 第91-94页 |
7.2.1 结构模型 | 第91-93页 |
7.2.2 动力学模拟 | 第93-94页 |
7.3 结果和讨论 | 第94-107页 |
7.3.1 ChT吸附在石墨烯或者氧化石墨烯表面 | 第94-101页 |
7.3.2 GO对ChT活性位点的影响 | 第101-104页 |
7.3.3 GO对His57质子化前后的ChT的影响 | 第104-105页 |
7.3.4 GO对胰蛋白酶的影响 | 第105-107页 |
7.4 本章小结 | 第107-108页 |
第八章 硅纳米粒子对几种酶影响作用机制的动力学研究 | 第108-129页 |
8.1 研究背景 | 第108-109页 |
8.2 模型和方法 | 第109-112页 |
8.2.1 准备结构 | 第109-110页 |
8.2.2 动力学模拟 | 第110-112页 |
8.3 结果讨论 | 第112-128页 |
8.3.1 SNPs可以使得酶吸附在表面 | 第115-119页 |
8.3.2 SNPs对酶构型的影响 | 第119-122页 |
8.3.3 不同直径SNPs对酶的活性位点的调控 | 第122-124页 |
8.3.4 不同修饰硅纳米颗粒表面对酶的影响 | 第124-128页 |
8.4 本章小结 | 第128-129页 |
第九章 总结和展望 | 第129-132页 |
本论文创新点 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-160页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第160-162页 |
已发表和待发表论文 | 第160-161页 |
参加国内外学术会议 | 第161-162页 |
致谢 | 第162-164页 |