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C-ADS注入器Ⅱ束流损失监测系统研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 论文的研究背景第12-17页
        1.1.1 强流质子加速器的发展情况第12-15页
        1.1.2 ADS嬗变计划第15-16页
        1.1.3 C-ADS计划及其注入器Ⅱ介绍第16-17页
    1.2 课题研究的意义及现状第17-20页
        1.2.1 研究意义第17-18页
        1.2.2 国内外研究现状第18-20页
    1.3 论文的主要内容及创新点第20-22页
        1.3.1 论文的章节安排第20-21页
        1.3.2 论文创新点第21-22页
第2章 粒子与物质相互作用原理第22-37页
    2.1 低能质子与物质相互作用的过程第22-27页
        2.1.1 质子与外层电子的电离与激发第22-23页
        2.1.2 质子与核弹性散射第23页
        2.1.3 质子与核非弹性散射第23-27页
    2.2 光子与物质的相互作用第27-33页
        2.2.1 光电效应第28-29页
        2.2.2 康普顿效应第29页
        2.2.3 电子对效应第29-30页
        2.2.4 光核反应第30-33页
    2.3 电子与物质的相互作用第33-35页
        2.3.1 电子的电离与激发第34页
        2.3.2 电子的轫致辐射第34-35页
    2.4 小结第35-37页
第3章 低能质子损失产生的辐射场蒙特卡洛模拟第37-59页
    3.1 蒙特卡洛方法介绍第37-40页
        3.1.1 蒙卡方法介绍第37-38页
        3.1.2 蒙特卡洛程序介绍第38-40页
    3.2 简单靶模拟第40-47页
        3.2.1 射程分析第41-43页
        3.2.2 辐射场分析第43-47页
    3.3 复杂模型分析第47-51页
        3.3.1 超导腔模型建立第47-50页
        3.3.2 超导腔辐射场模拟结果分析第50-51页
    3.4 本底分析第51-57页
        3.4.1 场致发射第51-53页
        3.4.2 电子倍增效应第53页
        3.4.3 RF功率源X射线发射第53-54页
        3.4.4 缓发过程分析第54-57页
    3.5 小结第57-59页
第4章 束损探测器的类型与安装位置选择第59-81页
    4.1 束损探测器选择标准第59页
    4.2 落选束损探测器第59-62页
        4.1.1 短电离室第59-60页
        4.1.2 基于光子探测的闪烁体探测器第60-61页
        4.1.3 半导体硅探测器第61-62页
        4.1.4 液氦电离室第62页
    4.3 选束损探测器第62-78页
        4.3.1 刮束器型探测器第62-70页
        4.3.2 金刚石探测器第70-75页
        4.3.3 基于中子探测的闪烁体探测器第75-78页
    4.4 束损探测器安装位置第78-79页
    4.5 小结第79-81页
第5章 C-ADS束流损失数据采集系统设计第81-91页
    5.1 HLS-Ⅱ束流损失数据采集系统简介第81-86页
        5.1.1 HLS-Ⅱ数据采集系统的硬件架构第81-83页
        5.1.2 微型数据采集器的开发第83-84页
        5.1.3 上位机的软件设计第84-86页
    5.2 C-ADS束损监测数据采集系统设计第86-90页
        5.2.1 C-ADS束损监测系统的功能简介第86-88页
        5.2.2 C-ADS束损数据采集系统设计第88-90页
    5.3 小结第90-91页
第6章 总结与展望第91-94页
    6.1 总结第91-92页
    6.2 展望第92-94页
参考文献第94-98页
致谢第98-99页
在读期间发表的学术论文第99-100页
附录第100-111页

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