C-ADS注入器Ⅱ束流损失监测系统研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第12-17页 |
| 1.1.1 强流质子加速器的发展情况 | 第12-15页 |
| 1.1.2 ADS嬗变计划 | 第15-16页 |
| 1.1.3 C-ADS计划及其注入器Ⅱ介绍 | 第16-17页 |
| 1.2 课题研究的意义及现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 研究意义 | 第17-18页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 论文的主要内容及创新点 | 第20-22页 |
| 1.3.1 论文的章节安排 | 第20-21页 |
| 1.3.2 论文创新点 | 第21-22页 |
| 第2章 粒子与物质相互作用原理 | 第22-37页 |
| 2.1 低能质子与物质相互作用的过程 | 第22-27页 |
| 2.1.1 质子与外层电子的电离与激发 | 第22-23页 |
| 2.1.2 质子与核弹性散射 | 第23页 |
| 2.1.3 质子与核非弹性散射 | 第23-27页 |
| 2.2 光子与物质的相互作用 | 第27-33页 |
| 2.2.1 光电效应 | 第28-29页 |
| 2.2.2 康普顿效应 | 第29页 |
| 2.2.3 电子对效应 | 第29-30页 |
| 2.2.4 光核反应 | 第30-33页 |
| 2.3 电子与物质的相互作用 | 第33-35页 |
| 2.3.1 电子的电离与激发 | 第34页 |
| 2.3.2 电子的轫致辐射 | 第34-35页 |
| 2.4 小结 | 第35-37页 |
| 第3章 低能质子损失产生的辐射场蒙特卡洛模拟 | 第37-59页 |
| 3.1 蒙特卡洛方法介绍 | 第37-40页 |
| 3.1.1 蒙卡方法介绍 | 第37-38页 |
| 3.1.2 蒙特卡洛程序介绍 | 第38-40页 |
| 3.2 简单靶模拟 | 第40-47页 |
| 3.2.1 射程分析 | 第41-43页 |
| 3.2.2 辐射场分析 | 第43-47页 |
| 3.3 复杂模型分析 | 第47-51页 |
| 3.3.1 超导腔模型建立 | 第47-50页 |
| 3.3.2 超导腔辐射场模拟结果分析 | 第50-51页 |
| 3.4 本底分析 | 第51-57页 |
| 3.4.1 场致发射 | 第51-53页 |
| 3.4.2 电子倍增效应 | 第53页 |
| 3.4.3 RF功率源X射线发射 | 第53-54页 |
| 3.4.4 缓发过程分析 | 第54-57页 |
| 3.5 小结 | 第57-59页 |
| 第4章 束损探测器的类型与安装位置选择 | 第59-81页 |
| 4.1 束损探测器选择标准 | 第59页 |
| 4.2 落选束损探测器 | 第59-62页 |
| 4.1.1 短电离室 | 第59-60页 |
| 4.1.2 基于光子探测的闪烁体探测器 | 第60-61页 |
| 4.1.3 半导体硅探测器 | 第61-62页 |
| 4.1.4 液氦电离室 | 第62页 |
| 4.3 选束损探测器 | 第62-78页 |
| 4.3.1 刮束器型探测器 | 第62-70页 |
| 4.3.2 金刚石探测器 | 第70-75页 |
| 4.3.3 基于中子探测的闪烁体探测器 | 第75-78页 |
| 4.4 束损探测器安装位置 | 第78-79页 |
| 4.5 小结 | 第79-81页 |
| 第5章 C-ADS束流损失数据采集系统设计 | 第81-91页 |
| 5.1 HLS-Ⅱ束流损失数据采集系统简介 | 第81-86页 |
| 5.1.1 HLS-Ⅱ数据采集系统的硬件架构 | 第81-83页 |
| 5.1.2 微型数据采集器的开发 | 第83-84页 |
| 5.1.3 上位机的软件设计 | 第84-86页 |
| 5.2 C-ADS束损监测数据采集系统设计 | 第86-90页 |
| 5.2.1 C-ADS束损监测系统的功能简介 | 第86-88页 |
| 5.2.2 C-ADS束损数据采集系统设计 | 第88-90页 |
| 5.3 小结 | 第90-91页 |
| 第6章 总结与展望 | 第91-94页 |
| 6.1 总结 | 第91-92页 |
| 6.2 展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第99-100页 |
| 附录 | 第100-111页 |
