摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 PZT薄膜材料特性及应用 | 第11-15页 |
1.2.1 PZT材料的结构及特性 | 第11-12页 |
1.2.2 PZT薄膜的应用 | 第12-15页 |
1.3 铁电薄膜制备方法 | 第15-19页 |
1.3.1 真空蒸镀 | 第15-16页 |
1.3.2 磁控溅射 | 第16-17页 |
1.3.3 脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
1.3.4 金属有机物化学气相沉积 | 第18页 |
1.3.5 溶胶凝胶法 | 第18-19页 |
1.4 PZT薄膜漏电性能国内外研究现状 | 第19-21页 |
1.5 本文的研究目的与意义 | 第21-23页 |
1.5.1 PZT薄膜漏电性能研究意义 | 第21-22页 |
1.5.2 本文研究目的和主要工作 | 第22-23页 |
第二章 薄膜制备及测试表征方法 | 第23-30页 |
2.1 实验设备 | 第23-25页 |
2.1.1 薄膜磁控溅射系统 | 第23-24页 |
2.1.2 快速退火系统 | 第24-25页 |
2.2 薄膜样品制备流程 | 第25-26页 |
2.3 薄膜测试及表征方法 | 第26-30页 |
2.3.1 微观结构与形貌表征方法 | 第26-27页 |
2.3.2 电学性能测试系统及方法 | 第27-30页 |
第三章 PZT薄膜制备及结构性能研究 | 第30-47页 |
3.1 溅射气氛对薄膜结构及电学性能的影响 | 第30-35页 |
3.2 退火气氛对薄膜结构及电学性能的影响 | 第35-38页 |
3.3 退火温度对薄膜结构及电学性能的影响 | 第38-42页 |
3.4 退火时间对薄膜结构及电学性能的影响 | 第42-46页 |
3.5 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 PZT薄膜漏电机制分析 | 第47-62页 |
4.1 介质薄膜漏电理论 | 第47-51页 |
4.1.1 肖特基发射机制 | 第47-48页 |
4.1.2 F-N隧道发射机制 | 第48-49页 |
4.1.3 普尔-弗兰克尔(Pool-Frenkel,P-F)机制 | 第49页 |
4.1.4 空间电荷限制电流(SCLC) | 第49-51页 |
4.1.5 欧姆导电 | 第51页 |
4.2 PZT薄膜漏电机理分析 | 第51-61页 |
4.2.1 PZT薄膜J-V曲线分析 | 第52-55页 |
4.2.2 PZT薄膜J-t曲线分析 | 第55-56页 |
4.2.3 J-t特性与J-V特性间的关系 | 第56-57页 |
4.2.4 PZT薄膜漏电流温度特性研究 | 第57-61页 |
4.3 本章小结 | 第61-62页 |
第五章 结论 | 第62-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |