中文摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第14-25页 |
1.1 概述 | 第14页 |
1.2 透明导电氧化物的种类及特点 | 第14-19页 |
1.2.1 In_2O_3透明导电薄膜 | 第15-16页 |
1.2.2 SnO_2透明导电薄膜 | 第16-17页 |
1.2.3 ZnO透明导电薄膜 | 第17-18页 |
1.2.4 TiO_2基透明导电薄膜 | 第18页 |
1.2.5 复合多层透明导电薄膜 | 第18-19页 |
1.3 薄膜的制备和表征方法 | 第19-22页 |
1.3.1 磁控溅射法 | 第19-20页 |
1.3.2 化学气相沉积法 | 第20-21页 |
1.3.3 电子束蒸发法 | 第21页 |
1.3.4 溶胶凝胶法 | 第21页 |
1.3.5 脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
1.4 透明导电氧化物薄膜的应用 | 第22-23页 |
1.5 本论文研究内容及研究意义 | 第23-25页 |
第二章 TiO_2/Cu/TiO_2透明导电薄膜的制备及表征方法 | 第25-32页 |
2.1 电子束蒸发法制备TiO_2/Cu/TiO_2薄膜的工艺控制 | 第25-29页 |
2.1.1 电子束蒸发设备 | 第25-27页 |
2.1.2 实验材料的选择 | 第27页 |
2.1.3 TiO_2/Cu/TiO_2薄膜的制备方案 | 第27-28页 |
2.1.4 TiO_2/Cu/TiO_2薄膜制备流程 | 第28-29页 |
2.2 TiO_2/Cu/TiO_2薄膜制备工艺参数 | 第29页 |
2.3 薄膜性能的表征方法 | 第29-31页 |
2.3.1 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第29页 |
2.3.2 X射线衍射物相分析(XRD) | 第29-30页 |
2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第30页 |
2.3.4 紫外可见分光光度计(UV-visspectrophotometry) | 第30页 |
2.3.5 霍尔效应测试仪 | 第30-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 Cu层厚度对TiO_2/Cu/TiO_2透明导电薄膜的影响 | 第32-37页 |
3.1 不同Cu层厚度TiO_2/Cu/TiO_2薄膜的制备 | 第32-33页 |
3.2 Cu层厚度对TiO_2/Cu/TiO_2复合薄膜光电性能的影响 | 第33-36页 |
3.2.1 Cu的厚度对复合薄膜电学特性的影响 | 第33-35页 |
3.2.2 Cu的厚度对复合薄膜光学特性的影响 | 第35-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-37页 |
第四章 退火温度对TiO_2/Cu/TiO_2透明导电薄膜的影响 | 第37-42页 |
4.1 引言 | 第37页 |
4.2 不同退火温度TiO_2/Cu/TiO_2透明导电薄膜的制备 | 第37页 |
4.3 退火温度对TiO_2/Cu/TiO_2透明导电薄膜的影响 | 第37-41页 |
4.3.1 退火温度对复合薄膜结构特性的影响 | 第37-38页 |
4.3.2 退火温度对复合薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
4.3.3 退火温度对复合薄膜电学特性的影响 | 第39-40页 |
4.3.4 退火温度对复合薄膜光学特性的影响 | 第40-41页 |
4.4 本章小结 | 第41-42页 |
第五章 ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备 | 第42-45页 |
5.1 概述 | 第42页 |
5.2 实验设备和实验材料的选择 | 第42-43页 |
5.3 薄膜的制备流程 | 第43-44页 |
5.4 薄膜的工艺参数 | 第44页 |
5.5 本章小结 | 第44-45页 |
第六章 退火温度对ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的影响 | 第45-52页 |
6.1 不同退火温度的ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备 | 第45页 |
6.2 退火温度对ZnO/Mo/ZnO复合透明导电薄膜结构的影响 | 第45-47页 |
6.3 退火温度对ZnO/Mo/ZnO复合透明导电薄膜表面形貌的影响 | 第47-49页 |
6.4 退火温度对ZnO/Mo/ZnO复合透明导电薄膜电学特性的影响 | 第49-50页 |
6.5 退火温度对ZnO/Mo/ZnO复合透明导电薄膜光学特性的影响 | 第50-51页 |
6.6 本章小结 | 第51-52页 |
第七章 结论 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-60页 |
在读期间公开发表的论文和参与的科研项目 | 第60页 |