| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 功率电子和功率半导体 | 第10-11页 |
| 1.2 功率整流器的发展 | 第11-17页 |
| 1.3 本文的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 一种具有超势垒结构的高压二极管原理分析 | 第18-33页 |
| 2.1 功率整流器的电学参数 | 第18-22页 |
| 2.1.1 静态电学参数 | 第18-21页 |
| 2.1.2 动态电学参数 | 第21-22页 |
| 2.2 埋沟器件 | 第22-23页 |
| 2.3 衬底偏置效应 | 第23-24页 |
| 2.4 一种具有超势垒结构的高压二极管的结构与原理分析 | 第24-30页 |
| 2.4.1 结构与工作原理 | 第24-28页 |
| 2.4.2 正向导通压降 | 第28-30页 |
| 2.5 寿命控制技术 | 第30-32页 |
| 2.5.1 深能级杂质 | 第30-31页 |
| 2.5.2 电子辐照 | 第31页 |
| 2.5.3 局部寿命控制 | 第31-32页 |
| 2.5.4 寿命控制技术模型与MEDICI仿真 | 第32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 一种具有超势垒结构的高压二极管结构优化与工艺设计 | 第33-52页 |
| 3.1 一种具有超势垒结构的高压二极管的尺寸及掺杂浓度优化 | 第33-45页 |
| 3.1.1 元胞尺寸选取 | 第34-35页 |
| 3.1.2 元胞中各掺杂浓度的选取 | 第35-41页 |
| 3.1.3 器件参数优化结果及性能分析 | 第41-45页 |
| 3.2 一种具有超势垒结构的高压二极管的工艺设计 | 第45-51页 |
| 3.2.1 元胞工艺方案的制定 | 第45-46页 |
| 3.2.2 元胞工艺方案的优化 | 第46-49页 |
| 3.2.3 终端的仿真设计 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 一种具有超势垒结构的高压二极管版图设计与测试分析 | 第52-63页 |
| 4.1 一种具有超势垒结构的高压二极管的版图设计 | 第52-54页 |
| 4.1.1 版图设计规则 | 第52-53页 |
| 4.1.2 版图设计结果 | 第53-54页 |
| 4.2 一种具有超势垒结构的高压二极管的测试分析 | 第54-62页 |
| 4.2.1 静态参数测试 | 第55-56页 |
| 4.2.2 动态参数测试 | 第56-58页 |
| 4.2.3 寿命控制实验 | 第58-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
