致谢 | 第1-6页 |
中文摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
序 | 第8-12页 |
第一章 引言 | 第12-20页 |
·太阳能电池的发展前景 | 第12-14页 |
·能源危机 | 第12页 |
·可再生能源 | 第12-14页 |
·太阳能电池的发展历史及其发展现状 | 第14-16页 |
·单晶硅电池 | 第14-15页 |
·多晶硅太阳能电池 | 第15-16页 |
·薄膜太阳能电池 | 第16页 |
·双层减反射膜的研究概况 | 第16-18页 |
·本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
第二章 太阳能电池的基础理论 | 第20-52页 |
·太阳能电池的发电原理 | 第20-27页 |
·太阳能发电的特点 | 第21页 |
·太阳能电池的结构 | 第21-23页 |
·太阳能电池的特性 | 第23-25页 |
·影响太阳能电池效率的主要因素 | 第25-27页 |
·太阳能电池片生产工艺 | 第27-48页 |
·制绒 | 第27-29页 |
·扩散 | 第29-33页 |
·刻蚀 | 第33-35页 |
·二次清洗 | 第35-36页 |
·PECVD镀膜 | 第36-42页 |
·丝网印刷 | 第42-44页 |
·烧结 | 第44-46页 |
·测试分选 | 第46-48页 |
·减反射膜的基本原理 | 第48-52页 |
第三章 试验设备及其测试设备原理介绍 | 第52-66页 |
·PECVD设备 | 第52-58页 |
·PECVD设备结构 | 第52-53页 |
·主要性能参数 | 第53-54页 |
·PECVD设备的市场情况 | 第54页 |
·几种主流厂商的PECVD镀膜设备产品 | 第54-58页 |
·测试设备 | 第58-66页 |
·椭偏仪测试模型 | 第59-62页 |
·WT-2000少子寿命测试仪 | 第62-64页 |
·太阳能电池效率测试仪 | 第64页 |
·外量子效率测试仪 | 第64-66页 |
第四章 PECVD沉积氮化硅膜工艺的研究 | 第66-74页 |
·PECVD法生产氮化硅膜的原理 | 第66页 |
·氮化硅的作用与钝化机理 | 第66-67页 |
·PECVD沉积氮化硅薄膜各参数的影响 | 第67-72页 |
·总气体流量对沉积速率、折射率及镀膜均匀性、少子寿命的影响 | 第67-68页 |
·SiH4和NH3的流量比对沉积速率、折射率及镀膜均匀性、少子寿命的影响 | 第68-69页 |
·温度对沉积速率、折射率及镀膜均匀性、少子寿命的影响 | 第69-70页 |
·压力对沉积速率、折射率及镀膜均匀性、少子寿命的影响 | 第70-71页 |
·时间对沉积速率、折射率及少子寿命的影响,分析沉积速率和折射率的关系 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-74页 |
第五章 双层膜工艺试验和实验结果分析 | 第74-84页 |
·折射率与钝化效果的关系分析 | 第74-75页 |
·双层氮化硅的减反射理论模型及其试验模拟 | 第75-82页 |
·多层减反射膜的理论模型 | 第75-76页 |
·双层氮化硅膜的试验模拟 | 第76-77页 |
·工艺试验及其结果分析 | 第77-82页 |
·本章小结 | 第82-84页 |
第六章 结论与展望 | 第84-86页 |
·结论 | 第84页 |
·展望 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-88页 |
作者简历 | 第88-92页 |
学位论文数据集 | 第92页 |