| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 TFT的基本结构和工作原理 | 第12-14页 |
| 1.2.1 TFT的基本结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 TFT的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3 TFT在显示中的应用 | 第14-16页 |
| 1.3.1 TFT在液晶显示中的应用 | 第14-15页 |
| 1.3.2 TFT在OLED中的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 高k栅介质的引入 | 第16-18页 |
| 1.5 高k栅介质ZnO-TFT的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.6 本文的研究意义和主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 NbLaO栅介质ZnO-TFT的制备流程及性能表征 | 第21-31页 |
| 2.1 器件的制备 | 第21-25页 |
| 2.1.1 ITO玻璃的清洗 | 第21-22页 |
| 2.1.2 NbLaO栅介质层的制备 | 第22-23页 |
| 2.1.3 一次退火 | 第23-24页 |
| 2.1.4 ZnO有源层的制备 | 第24页 |
| 2.1.5 源漏电极的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.6 二次退火 | 第25页 |
| 2.2 ZnO-TFT的主要性能参数 | 第25-27页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第25-26页 |
| 2.2.2 开关电流比 | 第26页 |
| 2.2.3 载流子迁移率 | 第26页 |
| 2.2.4 亚阈值摆幅 | 第26-27页 |
| 2.3 性能表征 | 第27-30页 |
| 2.3.1 薄膜性能的表征 | 第27-29页 |
| 2.3.2 ZnO-TFT的电学性能表征 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 栅介质退火温度对ZnO-TFT电特性的影响 | 第31-47页 |
| 3.1 实验条件 | 第31页 |
| 3.2 栅介质退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 栅介质退火温度对ZnO薄膜质量的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 栅介质退火温度对ZnO-TFT特性的影响 | 第35-41页 |
| 3.4.1 输出特性 | 第35-36页 |
| 3.4.2 转移特性 | 第36-38页 |
| 3.4.3 转移特性迟滞效应 | 第38-39页 |
| 3.4.4 低频噪声特性 | 第39-40页 |
| 3.4.5 透光率 | 第40-41页 |
| 3.5 工作温度对ZnO-TFT电特性的影响 | 第41-45页 |
| 3.5.1 实验条件和测试条件 | 第41-42页 |
| 3.5.2 升温过程对器件电特性的影响 | 第42-44页 |
| 3.5.3 降温过程对器件电特性的影响 | 第44-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 NbLaO栅介质ZnO-TFT的偏压应力效应 | 第47-54页 |
| 4.1 负栅偏压应力效应 | 第47-49页 |
| 4.1.1 测试方法 | 第47页 |
| 4.1.2 结果与分析 | 第47-49页 |
| 4.2 正栅偏压应力效应 | 第49-52页 |
| 4.2.1 测试方法 | 第49页 |
| 4.2.2 结果与分析 | 第49-52页 |
| 4.3 漏电压应力效应 | 第52-53页 |
| 4.3.1 测试方法 | 第52页 |
| 4.3.2 结果与分析 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 新型结构高k栅介质ZnO-TFT | 第54-63页 |
| 5.1 叠层栅介质结构ZnO-TFT | 第54-57页 |
| 5.1.1 器件结构及实验条件 | 第54-55页 |
| 5.1.2 叠层栅介质结构ZnO-TFT的初始特性 | 第55页 |
| 5.1.3 正栅偏压应力下ZnO-TFT的稳定性 | 第55-57页 |
| 5.2 平面分离双栅结构ZnO-TFT | 第57-61页 |
| 5.2.1 器件结构及实验条件 | 第58-59页 |
| 5.2.2 实验结果与讨论 | 第59-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72页 |
