| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 序 | 第10-13页 |
| 1 引言 | 第13-39页 |
| ·薄膜制备及其在光电子器件中的应用 | 第14-21页 |
| ·物理气相沉积 | 第15-17页 |
| ·化学气相沉积 | 第17页 |
| ·薄膜生长的动力学过程及影响薄膜生长的几个重要因素 | 第17-18页 |
| ·纳米结构薄膜的光电特性及研究现状 | 第18-21页 |
| ·无机薄膜电致发光的研究 | 第21-27页 |
| ·无机薄膜电致发光的发展历程 | 第21-22页 |
| ·无机薄膜电致发光的工作机理及影响器件性能的因素 | 第22-26页 |
| ·分层优化方案的特色及创新之处 | 第26-27页 |
| ·有机薄膜电致发光的研究 | 第27-32页 |
| ·有机薄膜电致发光的发展历程 | 第27-29页 |
| ·有机薄膜电致发光的工作机理及影响器件性能的因素 | 第29-32页 |
| ·固态阴极射线发光的原理、最新进展与潜力 | 第32-34页 |
| ·薄膜电致发光器件的制备及性能表征 | 第34-36页 |
| ·薄膜电致发光器件的制备 | 第34-35页 |
| ·薄膜电致发光器件性能的表征 | 第35-36页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第36-39页 |
| 2 倾斜式生长系统的搭建及薄膜的表征方法 | 第39-55页 |
| ·倾斜式薄膜生长技术简介 | 第39-44页 |
| ·倾斜式薄膜生长技术的发展历程 | 第39-41页 |
| ·倾斜式薄膜生长的原理 | 第41-43页 |
| ·倾斜式薄膜生长技术的独特优势 | 第43-44页 |
| ·倾斜式薄膜生长系统的搭建 | 第44-50页 |
| ·电子束蒸发 | 第44-46页 |
| ·倾斜式生长系统的搭建 | 第46-50页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 3 倾斜式生长ZnS柱状纳米薄膜及生长机理分析 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·倾斜式薄膜生长中各种参数对薄膜结构的影响 | 第56-63页 |
| ·倾斜角对ZnS纳米薄膜结构的影响 | 第56-59页 |
| ·生长速率对ZnS纳米薄膜结构的影响 | 第59-61页 |
| ·衬底旋转速率对ZnS纳米薄膜结构的影响 | 第61-63页 |
| ·退火对柱状ZnS纳米薄膜结构的影响 | 第63-64页 |
| ·衬底种类对ZnS纳米薄膜结构的影响 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 4 不同微纳结构薄膜光电特性的表征及其提高电致发光器件性能的研究 | 第69-91页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·不同微纳结构薄膜光学性能的表征及其改善有机电致发光器件亮度的研究 | 第70-81页 |
| ·不同微纳结构对薄膜光学性能的影响 | 第70-74页 |
| ·微纳结构薄膜改善有机电致发光器件亮度的研究 | 第74-81页 |
| ·纳米结构薄膜电学性能的表征及其在固态阴极射线激发中的优势 | 第81-89页 |
| ·不同微纳结构对薄膜电学性能的影响 | 第81-83页 |
| ·固态阴极射线激发下纳米结构薄膜对器件发光特性的影响 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 5 柱状发光纳米薄膜的制备及其在电致发光器件中的应用 | 第91-111页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·ZnS：Mn发光材料的制备 | 第92-93页 |
| ·基于不同衬底的ZnS：Mn发光纳米薄膜的制备及其性能研究 | 第93-101页 |
| ·基于不同衬底的ZnS：Mn纳米薄膜的制备 | 第93-94页 |
| ·基于不同衬底的ZnS：Mn发光薄膜的性能研究 | 第94-101页 |
| ·柱状ZnS：Mn发光纳米薄膜在分层优化器件中的特点 | 第101-106页 |
| ·器件的制备与表征 | 第102页 |
| ·不同结构的ZnS：Mn薄膜对器件性能的影响 | 第102-106页 |
| ·柱状ZnS：Mn发光薄膜在混合激发电致发光器件中的尝试 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-111页 |
| 6 结论 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-125页 |
| 作者简历 | 第125-131页 |
| 学位论文数据集 | 第131页 |
