摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
1.1 磁性的产生、分类及应用 | 第11-15页 |
1.1.1 磁性的产生 | 第11-12页 |
1.1.2 磁性材料的分类 | 第12-14页 |
1.1.3 磁性材料的应用 | 第14-15页 |
1.2 描述磁性物质的基本理论模型之一——局域自旋模型 | 第15-16页 |
1.3 固体磁性量子理论的建立 | 第16页 |
1.4 Ising模型的提出及其研究方法 | 第16-18页 |
1.5 选题背景及内容 | 第18-20页 |
1.5.1 选题背景 | 第18-19页 |
1.5.2 本文研究的内容 | 第19-20页 |
2 四子格双层系统的物理性质 | 第20-49页 |
2.1 哈密顿量 | 第20-21页 |
2.2 相关有效场理论应用 | 第21-26页 |
2.2.1 基本自旋公式 | 第21-26页 |
2.2.2 微分算符技术及退耦近似 | 第26页 |
2.3 磁矩 | 第26-39页 |
2.3.1 自旋1/2-1/2系统磁矩公式 | 第26-27页 |
2.3.2 自旋1/2-3/2系统磁矩公式 | 第27页 |
2.3.3 自旋1-1系统和1-3/2系统磁矩公式 | 第27-39页 |
2.4 其它物理量的计算公式 | 第39-43页 |
2.5 数值计算结果 | 第43-48页 |
2.5.1 磁矩随温度的变化 | 第43-44页 |
2.5.2 磁化率随温度的变化 | 第44-45页 |
2.5.3 内能随温度的变化 | 第45-47页 |
2.5.4 1/2-1/2系统和1/2-3/2系统相图 | 第47-48页 |
2.6 本章小节 | 第48-49页 |
3 三层超晶格系统的物理性质 | 第49-65页 |
3.1 哈密顿量 | 第49-50页 |
3.2 基本公式 | 第50-61页 |
3.2.1 磁矩和磁化率公式 | 第52-55页 |
3.2.2 内能公式推导 | 第55-61页 |
3.3 数值结果及讨论 | 第61-64页 |
3.3.1 磁矩随温度的变化 | 第61-62页 |
3.3.2 磁化率随温度的变化 | 第62-63页 |
3.3.3 内能随温度的变化 | 第63-64页 |
3.4 本章小节 | 第64-65页 |
4 结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |
在学研究成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |