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多晶硅还原炉底盘流动传热学数值分析

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 文献综述第8-34页
    1.1 多晶硅还原炉的发展和现状第9-11页
        1.1.1 多晶硅行业的发展历程第9页
        1.1.2 多晶硅工艺路线的选择第9-10页
        1.1.3 西门子法工艺介绍第10-11页
    1.2 多晶硅还原炉的研究方向第11-15页
        1.2.1 温度的影响第12-13页
        1.2.2 电极频率的影响第13-14页
        1.2.3 压力的影响第14-15页
    1.3 多晶硅还原炉的研究进展第15-33页
        1.3.1 电极棒布置第15-18页
        1.3.2 进出气口布置第18-29页
        1.3.3 底盘布置第29-31页
        1.3.4 其它前沿性研究第31-33页
    1.4 小结第33-34页
第二章 多晶硅还原炉底盘流动结构的计算传热学第34-47页
    2.1 物理模型第34-37页
        2.1.1 传统多晶硅还原炉底盘第34-36页
        2.1.2 新型多晶硅还原炉底盘第36-37页
    2.2 控制方程第37-38页
    2.3 边界条件第38-39页
    2.4 模拟计算方法第39-40页
    2.5 计算结果与讨论第40-46页
    2.6 小结第46-47页
第三章 多晶硅还原炉单棒结构优化第47-72页
    3.1 国外改善流道结构的方法第47页
    3.2 物理模型第47-48页
    3.3 控制方程第48-49页
    3.4 边界条件第49-50页
        3.4.1 入口边界条件第49-50页
        3.4.2 出口边界条件第50页
        3.4.3 壁温边界第50页
    3.5 数值计算方法第50-51页
    3.6 计算结果和讨论第51-71页
        3.6.1 导论第51-55页
        3.6.2 出口温度的影响第55-60页
        3.6.3 传热系数的影响第60-65页
        3.6.4 阻力的影响第65-71页
    3.7 小结第71-72页
第四章 结论与展望第72-74页
    4.1 结论第72-73页
    4.2 展望第73-74页
参考文献第74-78页
发表论文和参加科研情况说明第78-79页
符号说明第79-80页
致谢第80页

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