| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 ZnO半导体材料特性及其纳米结构 | 第10-19页 |
| 1.1 ZnO半导体材料特性 | 第10-11页 |
| 1.2 一维ZnO半导体材料 | 第11-15页 |
| 1.2.1 纳米材料 | 第11页 |
| 1.2.2 纳米材料的一般效应 | 第11-13页 |
| 1.2.3 ZnO纳米材料 | 第13-15页 |
| 1.3 ZnO纳米材料的应用 | 第15-19页 |
| 1.3.1 发光二极管 | 第15页 |
| 1.3.2 染料敏化电池 | 第15页 |
| 1.3.3 光催化剂 | 第15-16页 |
| 1.3.4 气敏传感器 | 第16页 |
| 1.3.5 纳米发电机 | 第16-17页 |
| 1.3.6 场发射显示器 | 第17-19页 |
| 2 场发射阴极材料 | 第19-30页 |
| 2.1 场致电子发射原理 | 第19页 |
| 2.2 金属场致发射方程 | 第19-20页 |
| 2.3 半导体场致发射 | 第20页 |
| 2.4 场发射材料的选择 | 第20-22页 |
| 2.4.1 低的功函数 | 第20页 |
| 2.4.2 高熔点 | 第20-21页 |
| 2.4.3 强的耐电子轰击能力 | 第21页 |
| 2.4.4 稳定的化学性能 | 第21页 |
| 2.4.5 高的电导率和热导率 | 第21-22页 |
| 2.5 场发射阴极材料的发展 | 第22-25页 |
| 2.5.1 金属材料 | 第22-23页 |
| 2.5.2 硅材料 | 第23页 |
| 2.5.3 碳材料 | 第23-25页 |
| 2.5.4 宽带隙半导体材料 | 第25页 |
| 2.6 一维ZnO纳米线的制备 | 第25-30页 |
| 2.6.1 磁控溅射法 | 第26-27页 |
| 2.6.2 化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| 2.6.3 液相生长法 | 第28-30页 |
| 3 实验部分 | 第30-39页 |
| 3.1 表征手段 | 第30-31页 |
| 3.1.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第30页 |
| 3.1.2 X射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| 3.1.3 吸收谱 | 第31页 |
| 3.2 实验仪器 | 第31-33页 |
| 3.2.1 射频磁控溅射设备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 恒温箱设备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 真空热蒸发设备 | 第33页 |
| 3.3 实验过程 | 第33-35页 |
| 3.4 水溶液生长ZnO纳米线的机理 | 第35页 |
| 3.5 不同参数对ZnO纳米线结构的影响 | 第35-39页 |
| 3.5.1 生长衬底对ZnO纳米结构的影响 | 第35-36页 |
| 3.5.2 配置溶液时去离子水的温度对ZnO纳米线生长的影响 | 第36-38页 |
| 3.5.3 生长温度对ZnO纳米线生长的影响 | 第38-39页 |
| 4 Ag纳米粒子修饰ZnO纳米线 | 第39-49页 |
| 4.1 真空热蒸发法修饰ZnO纳米线 | 第39-40页 |
| 4.2 Ag修饰后ZnO纳米线的表面形貌 | 第40-44页 |
| 4.3 Ag修饰后的ZnO纳米线XRD图谱 | 第44-45页 |
| 4.4 Ag修饰后ZnO纳米线的吸收谱线 | 第45-47页 |
| 4.5 未修饰的ZnO和经过Ag修饰后场发射性能 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |