中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 引言 | 第13-45页 |
1.1 概述 | 第13-14页 |
1.2 太阳能电池基础 | 第14-17页 |
1.3 太阳能电池的种类 | 第17-26页 |
1.3.1 传统硅太阳能电池 | 第17-21页 |
1.3.2 化合物太阳能电池 | 第21-22页 |
1.3.3 染料敏化薄膜太阳能电池 | 第22-24页 |
1.3.4 非硅有机无机杂化太阳能电池 | 第24-26页 |
1.4 硅纳米结构在光伏电池中的应用 | 第26-31页 |
1.4.1 无机-无机硅纳米太阳能电池 | 第28-30页 |
1.4.2 有机-无机硅纳米太阳能电池 | 第30-31页 |
1.5 选题依据与研究思路 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-45页 |
第二章 硅-PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件的界面表征 | 第45-61页 |
2.1 引言 | 第45-46页 |
2.2 实验部分 | 第46-48页 |
2.2.1 原料与试剂 | 第46页 |
2.2.2 实验仪器 | 第46页 |
2.2.3 实验步骤 | 第46-48页 |
2.3 结果与讨论 | 第48-57页 |
2.3.1 PEDOT:PSS 的光学性质 | 第48-49页 |
2.3.2 硅-PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件性能表征 | 第49-50页 |
2.3.3 不同表面形貌的硅-PEDOT:PSS 杂化光伏器件 | 第50-57页 |
2.4 总结 | 第57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
第三章 串并联电阻的调控对硅杂化光伏器件性能影响 | 第61-76页 |
3.1 引言 | 第61-62页 |
3.2 实验部分 | 第62-63页 |
3.2.1 原料与试剂 | 第62页 |
3.2.2 实验仪器 | 第62页 |
3.2.3 实验步骤 | 第62-63页 |
3.3 结果与讨论 | 第63-72页 |
3.3.1 器件尺寸调整 | 第63页 |
3.3.2 平面硅/PEDOT:PSS 有机无机杂化异质结太阳能电池性能表征 | 第63-66页 |
3.3.3 器件的内建电势的拟合与分析 | 第66-67页 |
3.3.4 串联电阻与并联电阻对填充因子的影响 | 第67-69页 |
3.3.5 环境对器件稳定性的影响 | 第69-70页 |
3.3.6 模拟研究串联电阻与并联电阻对器件性能的影响 | 第70-71页 |
3.3.7 物理切割法的可重复性研究 | 第71-72页 |
3.4 总结 | 第72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
第四章 基于太阳能冶金级硅的有机无机异质结器件及其表征 | 第76-100页 |
4.1 引言 | 第76-77页 |
4.2 实验部分 | 第77-79页 |
4.2.1 原料与试剂 | 第77页 |
4.2.2 实验仪器 | 第77-78页 |
4.2.3 实验步骤 | 第78-79页 |
4.3 结果与讨论 | 第79-94页 |
4.3.1 太阳能冶金级硅片基底厚度的调控 | 第79-82页 |
4.3.2 太阳能冶金级硅表面形貌修饰 | 第82-85页 |
4.3.3 太阳能冶金级硅/PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件电荷复合机制 | 第85-87页 |
4.3.4 少数载流子寿命测量与表征 | 第87-88页 |
4.3.5 太阳能冶金级硅/PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件性能表征 | 第88-90页 |
4.3.6 时间分辨瞬态光电压衰减测试 | 第90-92页 |
4.3.7 高温热扩散工艺对太阳能冶金级硅的影响 | 第92-93页 |
4.3.8 模拟研究表面复合速度对器件性能的影响 | 第93-94页 |
4.4 总结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-100页 |
第五章 超薄柔性有机无机杂化硅太阳能电池制备及其界面修饰 | 第100-121页 |
5.1 引言 | 第100-101页 |
5.2 实验部分 | 第101-103页 |
5.2.1 原料与试剂 | 第101-102页 |
5.2.2 实验仪器 | 第102页 |
5.2.3 实验步骤 | 第102-103页 |
5.3 结果与讨论 | 第103-117页 |
5.3.1 超薄柔性硅片基底厚度的调控 | 第103-106页 |
5.3.2 超薄柔性硅表面形貌修饰 | 第106-108页 |
5.3.3 超薄柔性硅/PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件载流子输运机制 | 第108-109页 |
5.3.4 少数载流子寿命的测量与表征 | 第109-110页 |
5.3.5 超薄柔性硅/PEDOT:PSS 有机无机杂化异质结太阳能电池性能表 征 | 第110-113页 |
5.3.6 时间分辨瞬态光电压衰减测试 | 第113-115页 |
5.3.7 模拟研究硅片厚度对器件性能的影响 | 第115-117页 |
5.4 总结 | 第117页 |
参考文献 | 第117-121页 |
第六章 空穴阻挡层 ZnMgO 纳米晶薄膜对硅-PEDOT:PSS 杂化肖特基异质结器件的影响 | 第121-138页 |
6.1 引言 | 第121-123页 |
6.2 实验部分 | 第123-124页 |
6.2.1 原料与试剂 | 第123页 |
6.2.2 实验仪器 | 第123页 |
6.2.3 实验步骤 | 第123-124页 |
6.3 结果与讨论 | 第124-132页 |
6.3.1 空穴阻挡层 ZnMgO 纳米晶薄膜的制备 | 第124-125页 |
6.3.2 ZnMgO 纳米晶薄膜对电池电荷传输机制的影响 | 第125-126页 |
6.3.3 少数载流子寿命测量与表征 | 第126-127页 |
6.3.4 硅-PEDOT:PSS 有机无机杂化异质结太阳能电池性能表征 | 第127-130页 |
6.3.5 时间分辨瞬态光电压衰减测试 | 第130-132页 |
6.4 总结 | 第132页 |
参考文献 | 第132-138页 |
第七章 总结与展望 | 第138-143页 |
7.1 全文总结 | 第138-140页 |
7.2 本论文的主要创新点 | 第140-141页 |
7.3 存在问题与展望 | 第141-143页 |
攻读学位期间公开发表的学术论文与其他学术成果 | 第143-146页 |
附录 | 第146-148页 |
致谢 | 第148-149页 |