| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 注释表 | 第11-13页 |
| 缩略词 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 直直变换器典型拓扑 | 第15-17页 |
| 1.3 功率器件的应用发展 | 第17-21页 |
| 1.4 本文研究的主要内容及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 全桥LLC谐振变换器研究与分析 | 第23-45页 |
| 2.1 全桥LLC谐振变换器的工作原理与特性分析 | 第23-33页 |
| 2.1.1 工作原理 | 第23-26页 |
| 2.1.2 基波分析 | 第26-28页 |
| 2.1.3 电压增益特性 | 第28-32页 |
| 2.1.4 控制策略 | 第32-33页 |
| 2.2 主电路参数与磁性元件设计 | 第33-40页 |
| 2.2.1 变压器匝比 | 第33-34页 |
| 2.2.2 谐振网络设计 | 第34-36页 |
| 2.2.3 功率器件的选取 | 第36-38页 |
| 2.2.4 磁性元件设计 | 第38-39页 |
| 2.2.5 设计结果 | 第39-40页 |
| 2.3 短路限流方案 | 第40-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 寄生电容对LLC谐振变换器影响的研究 | 第45-65页 |
| 3.1 副边二极管寄生电容的影响 | 第45-60页 |
| 3.1.1 模态分析 | 第46-47页 |
| 3.1.2 定量求解 | 第47-53页 |
| 3.1.3 数值计算与仿真验证 | 第53-58页 |
| 3.1.4 二极管寄生电容对软开关实现的影响 | 第58-60页 |
| 3.2 变压器寄生电容的影响 | 第60-62页 |
| 3.3 减小寄生电容方法 | 第62-63页 |
| 3.4 实验结果 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 GaN功率晶体管应用研究 | 第65-75页 |
| 4.1 GaN功率晶体管的特性分析 | 第65-72页 |
| 4.1.1 电气参数 | 第65-67页 |
| 4.1.2 反向导通特性 | 第67-68页 |
| 4.1.3 驱动技术 | 第68-72页 |
| 4.2 GaN功率晶体管的应用研究 | 第72-74页 |
| 4.2.1 驱动电路PCB的绘制 | 第72-73页 |
| 4.2.2 GaN晶体管的焊接 | 第73页 |
| 4.2.3 GaN晶体管失效判别方式 | 第73-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 理论与实验对比分析 | 第75-85页 |
| 5.1 基于GaN和Si器件变换器损耗对比分析 | 第75-80页 |
| 5.1.1 功率器件损耗 | 第75-77页 |
| 5.1.2 磁性元件损耗 | 第77-78页 |
| 5.1.3 总损耗理论计算 | 第78-80页 |
| 5.2 实验结果对比分析 | 第80-84页 |
| 5.2.1 基于Si器件LLC谐振变换器实验结果 | 第80-82页 |
| 5.2.2 基于GaN器件LLC谐振变换器实验结果 | 第82-84页 |
| 5.3 本章小结 | 第84-85页 |
| 第六章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第85-86页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第92页 |