| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体纳米材料掺杂化学 | 第10-17页 |
| 1.2.1 半导体纳米材料掺杂方法 | 第11-14页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料锰掺杂研究 | 第14页 |
| 1.2.3 半导体纳米材料铜掺杂研究 | 第14-15页 |
| 1.2.4 掺杂对半导体纳米材料电学性能的影响 | 第15页 |
| 1.2.5 掺杂对半导体纳米材料光学性能的影响 | 第15-17页 |
| 1.3 金属硫族超四面体纳米团簇 | 第17-23页 |
| 1.3.1 结构特色 | 第18-19页 |
| 1.3.2 合成特点 | 第19-20页 |
| 1.3.3 离散型超四面体纳米团簇的构建 | 第20-22页 |
| 1.3.4 超四面体纳米团簇掺杂化学 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的选题意义和创新性 | 第23-26页 |
| 第二章 超四面体镉铟硫无核纳米团簇的精确铜掺杂及其光电性能研究 | 第26-48页 |
| 2.1 引言 | 第26-28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-31页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第28页 |
| 2.2.2 实验样品制备 | 第28-30页 |
| 2.2.3 实验仪器与表征 | 第30-31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-47页 |
| 2.3.1 ISC-10s系列化合物的合成和结构特点 | 第31-42页 |
| 2.3.2 ISC-10s系列光电极的光电性能 | 第42-47页 |
| 2.4 本章总结 | 第47-48页 |
| 第三章 超四面体镉铟硫无核纳米团簇的精确锰掺杂及其荧光性能研究 | 第48-74页 |
| 3.1 引言 | 第48-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-53页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第51页 |
| 3.2.2 实验样品制备 | 第51-52页 |
| 3.2.3 实验仪器与表征 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-72页 |
| 3.3.1 掺杂过程和结构表征 | 第53-57页 |
| 3.3.2 吸收谱图和光学带宽 | 第57-58页 |
| 3.3.3 荧光性能 | 第58-65页 |
| 3.3.4 荧光发光动力学 | 第65-68页 |
| 3.3.5 温度对掺杂锰离子荧光性质的影响 | 第68-69页 |
| 3.3.6 电子顺磁共振（EPR）信号 | 第69-70页 |
| 3.3.7 荧光发光机理 | 第70-72页 |
| 3.4 本章总结 | 第72-74页 |
| 第四章 超四面体无核镉铟硫纳米团簇的铜锰共掺杂及其白光调控研究 | 第74-88页 |
| 4.1 引言 | 第74-76页 |
| 4.2 实验部分 | 第76-78页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第76页 |
| 4.2.2 实验样品制备 | 第76-77页 |
| 4.2.3 实验仪器与表征 | 第77-78页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第78-86页 |
| 4.3.1 铜离子掺杂荧光性能 | 第78-81页 |
| 4.3.2 铜锰共掺杂荧光性能 | 第81-85页 |
| 4.3.3 色坐标（CIE）值的计算 | 第85-86页 |
| 4.4 本章总结 | 第86-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-102页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
