| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景及应用 | 第7-11页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的研究背景 | 第7-8页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的应用 | 第8-11页 |
| 1.2 p型氧化物薄膜及晶体管的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要研究内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 薄膜晶体管的结构及工作原理 | 第15-21页 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构 | 第15页 |
| 2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第15-18页 |
| 2.3 薄膜晶体管的性能参数 | 第18-21页 |
| 2.3.1 场效应迁移率mFE | 第18页 |
| 2.3.2 开关电流比I_(on)/I_(off) | 第18页 |
| 2.3.3 阈值电压VTH | 第18页 |
| 2.3.4 亚阈值摆幅SS | 第18-19页 |
| 2.3.5 跨导gm | 第19页 |
| 2.3.6 界面态密度D_(it) | 第19-21页 |
| 第三章p型氧化物薄膜的结构与制备方法 | 第21-31页 |
| 3.1 p型氧化物薄膜的结构与性质 | 第21-23页 |
| 3.1.1 NiO薄膜的结构与性质 | 第21-22页 |
| 3.1.2 Cu_2O薄膜的结构与性质 | 第22-23页 |
| 3.2 p型氧化物薄膜的制备方法 | 第23-27页 |
| 3.2.1 溅射法（Sputtering） | 第23-24页 |
| 3.2.2 脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition） | 第24-25页 |
| 3.2.3 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy） | 第25-26页 |
| 3.2.4 热蒸发（Thermal Evaporation） | 第26页 |
| 3.2.5 喷雾热解法（Spray Pyrolysis） | 第26-27页 |
| 3.2.6 溶胶凝胶法（Sol-Gel） | 第27页 |
| 3.3 p型氧化物薄膜的表征方法 | 第27-31页 |
| 3.3.1 X射线衍射（X-Ray Diffraction） | 第27-28页 |
| 3.3.2 原子力显微镜（Atomic Force Microscope） | 第28-29页 |
| 3.3.3 半导体参数测试仪 | 第29-31页 |
| 第四章 NiO薄膜的制备与性能测试 | 第31-37页 |
| 4.1 NiO薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 4.1.1 衬底的清洗 | 第31页 |
| 4.1.2 溶胶凝胶法制备NiO薄膜 | 第31-32页 |
| 4.2 NiO薄膜的性能表征 | 第32-36页 |
| 4.2.1 XRD性质分析 | 第32-33页 |
| 4.2.2 AFM性质分析 | 第33-34页 |
| 4.2.3 电学性质分析 | 第34-36页 |
| 4.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 Cu_2O薄膜及晶体管的制备与性能测试 | 第37-47页 |
| 5.1 Cu_2O薄膜的制备 | 第37-39页 |
| 5.1.1 溶胶凝胶法制备Cu_2O薄膜 | 第37-38页 |
| 5.1.2 Cu_2O薄膜的不同温度退火 | 第38-39页 |
| 5.2 Cu_2O薄膜的性能表征 | 第39-42页 |
| 5.2.1 不同退火温度制备的Cu_2O薄膜的XRD分析 | 第39-40页 |
| 5.2.2 不同退火温度制备的Cu_2O薄膜的AFM分析 | 第40-41页 |
| 5.2.3 不同退火温度制备的Cu_2O薄膜的电学性质分析 | 第41-42页 |
| 5.3 Cu_2O薄膜晶体管的制备 | 第42-43页 |
| 5.4 Cu_2O薄膜晶体管的电学性质分析 | 第43-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
