一种低功耗高稳定的九管SRAM单元设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 存储器的分类和特点 | 第9-11页 |
| 1.3 SRAM系统结构概述 | 第11-13页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.5 本论文章节安排 | 第16-17页 |
| 1.6 本章小结 | 第17-18页 |
| 第2章 传统SRAM存储单元分析 | 第18-28页 |
| 2.1 传统六管SRAM存储单元 | 第18-23页 |
| 2.2 四管SRAM存储单元 | 第23-25页 |
| 2.3 七管SRAM存储单元 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 新型九管SRAM存储单元设计 | 第28-37页 |
| 3.1 单元基本结构 | 第28-29页 |
| 3.2 工作原理 | 第29-35页 |
| 3.3 优缺点 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 新型存储单元性能仿真验证 | 第37-67页 |
| 4.1 写裕度仿真 | 第37-40页 |
| 4.2 稳定性仿真 | 第40-44页 |
| 4.2.1 保持静态噪声容限仿真 | 第41-43页 |
| 4.2.2 读静态噪声容限仿真 | 第43-44页 |
| 4.3 读写速度仿真 | 第44-49页 |
| 4.3.1 读速度仿真 | 第45-46页 |
| 4.3.2 写速度仿真 | 第46-49页 |
| 4.4 静态功耗仿真 | 第49-52页 |
| 4.5 动态功耗仿真 | 第52-58页 |
| 4.6 传统六管存储单元性能仿真 | 第58-65页 |
| 4.6.1 六管存储单元写裕度仿真 | 第58-59页 |
| 4.6.2 六管存储单元稳定性仿真 | 第59-61页 |
| 4.6.3 六管存储单元读写速度仿真 | 第61-63页 |
| 4.6.4 六管存储单元功耗仿真 | 第63-65页 |
| 4.7 新型存储单元性能总结 | 第65-66页 |
| 4.8 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 设计总结 | 第67-69页 |
| 5.2 工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
