| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 存储器分类 | 第10-14页 |
| 1.2.1 闪存存储器 | 第11页 |
| 1.2.2 铁电存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.3 磁随机存储器 | 第12-13页 |
| 1.2.4 相变光存储器 | 第13-14页 |
| 1.3 相变光存储材料 | 第14-16页 |
| 1.3.1 Ge-Sb-Te三元化合物 | 第15-16页 |
| 1.3.2 Ag-In-Sb-Te四元合金 | 第16页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第16-22页 |
| 1.5 论文研究目的及意义 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方案设计 | 第24-32页 |
| 2.1 实验过程 | 第24-25页 |
| 2.1.1 静态等温诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化过程 | 第24页 |
| 2.1.2 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化过程 | 第24-25页 |
| 2.2 样品制备 | 第25页 |
| 2.3 实验系统 | 第25-26页 |
| 2.4 实验设备 | 第26-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 等温退火与脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化对比 | 第32-42页 |
| 3.1 经典形核理论 | 第32-34页 |
| 3.2 静态等温退火诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化分析 | 第34-36页 |
| 3.3 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化表面形貌分析 | 第36-39页 |
| 3.4 静态退火与激光诱导晶化特点对比 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5沿厚度方向晶化研究 | 第42-52页 |
| 4.1 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5沿厚渡方向TEM分析 | 第42-44页 |
| 4.2 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5晶化有限元模型 | 第44-45页 |
| 4.3 脉冲激光诱导Ge_2Sb_2Te_5热力学分析 | 第45-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
