| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 碳化硅材料的发展及优势 | 第9-10页 |
| 1.2 碳化硅功率器件的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 碳化硅肖特基二极管的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第12-15页 |
| 第2章 碳化硅肖特基二极管原理及模型 | 第15-29页 |
| 2.1 碳化硅SBD器件的工作原理 | 第15-20页 |
| 2.2 4H-SiC模型参数 | 第20-24页 |
| 2.2.1 三个基本方程 | 第20-22页 |
| 2.2.2 常用物理模型及其参数 | 第22-24页 |
| 2.3 实验设备及原理的介绍 | 第24-27页 |
| 2.3.1 实验设备介绍 | 第24-25页 |
| 2.3.2 实验原理 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 碳化硅肖特基二极管结终端研究 | 第29-55页 |
| 3.1 常用结终端技术 | 第29-31页 |
| 3.1.1 场板技术 | 第29-30页 |
| 3.1.2 场限环技术 | 第30页 |
| 3.1.3 结终端扩展技术（JTE） | 第30-31页 |
| 3.2 具有场板结构的 4H-SiC SBD的设计与仿真分析 | 第31-35页 |
| 3.3 具有场限环结构的 4H-SiC SBD的设计与仿真分析 | 第35-41页 |
| 3.4 用半绝缘多晶硅作介质层的场板结构 4H-SiC SBD的研究 | 第41-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 碳化硅肖特基二极管的工艺实验研究 | 第55-81页 |
| 4.1 碳化硅器件的工艺概述 | 第55-58页 |
| 4.1.1 碳化硅的氧化 | 第55页 |
| 4.1.2 碳化硅的肖特基和欧姆接触 | 第55-58页 |
| 4.2 欧姆接触的研究 | 第58-65页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第59-62页 |
| 4.2.2 实验结果分析 | 第62-65页 |
| 4.3 RIE刻蚀 4H-SiC SBD的研究 | 第65-75页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第65-68页 |
| 4.3.2 实验结果分析 | 第68-75页 |
| 4.4 SIPOS场板结构 4H-SiC SBD的制备及结果分析 | 第75-79页 |
| 4.4.1 SIPOS场板结构 4H-SiC SBD的制备 | 第75-77页 |
| 4.4.2 SIPOS场板结构 4H-SiC SBD的电流特性分析 | 第77-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
