| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 非金属及半导体表面金属化的意义及研究进展 | 第10-11页 |
| 1.1.1 非金属及半导体表面金属化的背景及意义 | 第10页 |
| 1.1.2 非金属及半导体表面金属化的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2 单晶硅表面镀铜工艺的发展状况 | 第11-15页 |
| 1.2.1 硅简介及其表面镀铜的意义 | 第11页 |
| 1.2.2 单晶硅表面镀铜的工艺发展 | 第11-15页 |
| 1.2.2.1 单晶硅表面镀铜前处理工艺发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2.2 等离子体表面处理技术与电晕处理 | 第12页 |
| 1.2.2.3 敏化、活化处理 | 第12-14页 |
| 1.2.2.4 化学镀 | 第14页 |
| 1.2.2.5 化学镀铜与电镀铜 | 第14页 |
| 1.2.2.6 化学镀的发展 | 第14-15页 |
| 1.3 自组装技术 | 第15-17页 |
| 1.3.1 自组装单分子膜 | 第15-17页 |
| 1.4 论文研究内容及目的 | 第17-18页 |
| 第二章 实验与检测分析方法 | 第18-25页 |
| 2.1 实验流程及仪器 | 第18-21页 |
| 2.1.1 单晶硅镀铜研究工艺流程 | 第18页 |
| 2.1.2 实验材料及试剂 | 第18-19页 |
| 2.1.3 实验仪器 | 第19-21页 |
| 2.2 测试及分析方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 APTES自组装膜与镀铜层的表征 | 第21页 |
| 2.2.2 镀铜层表观分析 | 第21-22页 |
| 2.2.3 化学镀铜层厚度与镀速的测定 | 第22页 |
| 2.2.4 镀层表面元素含量的表征 | 第22页 |
| 2.2.5 基片表面亲水性的表征 | 第22-23页 |
| 2.2.6 电镀铜层致密性的表征 | 第23页 |
| 2.2.7 单因素试验 | 第23页 |
| 2.2.8 正交试验 | 第23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 APTES自组装膜的制备及化学镀铜工艺研究 | 第25-34页 |
| 3.1 基材处理 | 第25页 |
| 3.2 羟基化处理 | 第25页 |
| 3.3 自组装法制备APTES纳米薄膜 | 第25-27页 |
| 3.4 接触角分析 | 第27-28页 |
| 3.5 表面形貌分析 | 第28-31页 |
| 3.6 正交试验结果分析 | 第31-32页 |
| 3.7 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 单晶硅表面电镀铜工艺研究 | 第34-40页 |
| 4.1 电镀铜参数 | 第34页 |
| 4.2 循环伏安分析 | 第34-36页 |
| 4.2.1 探索最佳电流密度 | 第34页 |
| 4.2.2 探索最佳电镀时间 | 第34-36页 |
| 4.3 镀层形貌分析 | 第36页 |
| 4.4 EDX分析 | 第36-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 结论与展望 | 第40-42页 |
| 5.1 结论 | 第40页 |
| 5.2 总结与展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 作者简介 | 第46页 |