栅控PNP晶体管ELDRS效应的开关剂量率加速试验方法及机理
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 电离效应研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2.1 总剂量效应 | 第9-10页 |
| 1.2.2 ELDRS效应 | 第10-12页 |
| 1.3 电子器件加速试验研究进展 | 第12-14页 |
| 1.4 开关剂量率加速试验方法研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 试验条件及分析测试方法 | 第17-23页 |
| 2.1 试验器件 | 第17页 |
| 2.2 辐照试验条件 | 第17-18页 |
| 2.3 电性能测试方法 | 第18-20页 |
| 2.3.1 Gummel曲线 | 第18-19页 |
| 2.3.2 电流增益 | 第19页 |
| 2.3.3 栅扫描（GS） | 第19-20页 |
| 2.4 缺陷表征与分析方法 | 第20-23页 |
| 2.4.1 过剩基极电流拟合 | 第20页 |
| 2.4.2 栅扫描法分离缺陷 | 第20-23页 |
| 第3章 不同剂量率下GLPNP晶体管电离效应研究 | 第23-38页 |
| 3.1 不同剂量率下的辐照对电性能的影响 | 第23-28页 |
| 3.1.1 Gummel曲线变化规律 | 第23-25页 |
| 3.1.2 电流增益的变化规律 | 第25-26页 |
| 3.1.3 GS曲线变化规律 | 第26-28页 |
| 3.2 辐照剂量率对缺陷演化的影响 | 第28-33页 |
| 3.2.1 过剩基极电流拟合 | 第28-29页 |
| 3.2.2 辐照感生缺陷分析 | 第29-33页 |
| 3.3 低剂量率增强效应机理分析 | 第33-36页 |
| 3.3.1 低剂量率增强效应模型 | 第34-35页 |
| 3.3.2 低剂量率增强效应模拟结果 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 开关剂量率加速试验机理研究 | 第38-55页 |
| 4.1 开关剂量率辐照对电性能的影响 | 第38-43页 |
| 4.1.1 电流增益的变化规律 | 第38-40页 |
| 4.1.2 Gummel曲线变化规律 | 第40-42页 |
| 4.1.3 GS曲线变化规律 | 第42-43页 |
| 4.2 开关剂量率辐照对缺陷演化的影响 | 第43-51页 |
| 4.2.1 过剩基极电流拟合 | 第43-45页 |
| 4.2.2 辐照感生缺陷分析 | 第45-51页 |
| 4.3 开关剂量率加速试验方法机理分析 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
