| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第11-14页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第11-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.1.3 石墨烯的能带结构 | 第13-14页 |
| 1.1.4 石墨烯的电学性质 | 第14页 |
| 1.1.5 石墨烯的光学性质 | 第14页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.3 石墨烯的应用 | 第16-18页 |
| 1.4 石墨烯的检测与分析方法 | 第18-21页 |
| 1.4.1 光学显微镜 | 第18-19页 |
| 1.4.2 拉曼光谱 | 第19-20页 |
| 1.4.3 原子力显微镜和透射电子显微镜 | 第20页 |
| 1.4.4 霍尔测试 | 第20页 |
| 1.4.5 透光率测试 | 第20-21页 |
| 1.5 本文主要研究内容及创新点 | 第21-23页 |
| 第二章 石墨烯的制备与转移 | 第23-33页 |
| 2.1 冷壁化学气相沉积系统 | 第23-26页 |
| 2.2 CVD法制备石墨烯的基本原理 | 第26-27页 |
| 2.3 石墨烯的转移 | 第27-33页 |
| 2.3.1 腐蚀基地法转移 | 第27-30页 |
| 2.3.2 鼓泡法转移 | 第30-33页 |
| 第三章 石墨烯的冷壁系统化学气相外延研究 | 第33-53页 |
| 3.1 金属箔片作为催化剂的石墨烯CVD生长 | 第33-37页 |
| 3.1.1 铜箔作为催化剂的石墨烯CVD生长 | 第33-36页 |
| 3.1.2 铂箔作为催化剂的CVD催化生长 | 第36-37页 |
| 3.2 硅镀铜作为催化的石墨烯CVD生长 | 第37-41页 |
| 3.2.1 硅镀铜作为催化剂最佳生长条件的研究 | 第37-39页 |
| 3.2.2 铜-硅自剥离石墨烯CVD生长 | 第39-41页 |
| 3.3 液态铜作为催化剂的石墨烯CVD生长 | 第41-45页 |
| 3.3.1 材料制备 | 第42页 |
| 3.3.2 测试与分析 | 第42-45页 |
| 3.4 在GaN衬底上的直接生长 | 第45-50页 |
| 3.4.1 基本理论 | 第45-46页 |
| 3.4.2 材料制备与分析 | 第46-48页 |
| 3.4.3 镀铜二次催化 | 第48-50页 |
| 3.5 冷壁CVD系统的快速生长机理研究 | 第50-53页 |
| 第四章 石墨烯作为透明导电层在GaN LED中应用的关键技术研究 | 第53-89页 |
| 4.1 石墨烯透明导电层概述 | 第53-55页 |
| 4.2 GaN LED简介 | 第55-63页 |
| 4.2.1 GaN LED发展历史 | 第56页 |
| 4.2.2 LED发光原理 | 第56-58页 |
| 4.2.3 GaN LED的器件结构与制作工艺 | 第58-62页 |
| 4.2.4 GaN LED的性能参数 | 第62-63页 |
| 4.3 石墨烯-GaN LED研究 | 第63-71页 |
| 4.3.1 石墨烯-GaN LED的制备 | 第63-68页 |
| 4.3.2 测试与分析 | 第68-71页 |
| 4.4 石墨烯与p型GaN的欧姆接触 | 第71-72页 |
| 4.5 应用ITO过渡层的石墨烯-GaN LED | 第72-80页 |
| 4.5.1 应用ITO插入层的石墨烯-GaN LED的理论 | 第72-73页 |
| 4.5.2 应用ITO插入层的石墨烯-GaN LED的器件制备 | 第73-75页 |
| 4.5.3 测试与分析 | 第75-80页 |
| 4.6 石墨烯-GaN LED的热稳定研究 | 第80-89页 |
| 4.6.1 石墨烯的热稳定性 | 第80-83页 |
| 4.6.2 有台阶的石墨烯的导电稳定性 | 第83-85页 |
| 4.6.3 石墨烯-GaN LED的稳定性 | 第85-89页 |
| 第五章 应用表面纳米结构的石墨烯-GaN LED | 第89-105页 |
| 5.1 应用纳米柱结构的石墨烯-GaN LED | 第89-100页 |
| 5.1.1 应用纳米柱结构的石墨烯-GaN LED的理论 | 第89-92页 |
| 5.1.2 应用纳米柱结构的石墨烯-GaN LED的实验 | 第92-94页 |
| 5.1.3 测试与分析 | 第94-100页 |
| 5.2 应用光子晶体结构的的石墨烯-GaN LED | 第100-105页 |
| 5.2.1 应用光子晶体结构的的石墨烯-GaN LED的理论 | 第100-101页 |
| 5.2.2 应用光子晶体结构的的石墨烯-GaN LED的器件制备 | 第101-102页 |
| 5.2.3 测试与分析 | 第102-105页 |
| 第六章 石墨烯在光电探测器中的应用 | 第105-129页 |
| 6.1 石墨烯-GaN紫外探测器的研究 | 第105-118页 |
| 6.1.1 石墨烯-GaN紫外探测器的基本理论 | 第106-108页 |
| 6.1.2 石墨烯-GaN紫外探测器的制备 | 第108-110页 |
| 6.1.3 器件测试与分析 | 第110-118页 |
| 6.2 石墨烯-nGaN紫外探测器性能提高研究 | 第118-123页 |
| 6.3 场效应调制掺杂的石墨烯pn结光电探测器 | 第123-129页 |
| 6.3.1 石墨烯pn结探测器概述 | 第123-124页 |
| 6.3.2 器件工艺制备 | 第124-126页 |
| 6.3.3 测试与分析 | 第126-129页 |
| 结论 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-139页 |
| 攻读博士期间所取得的成果 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
