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化学气相沉积法外延高质量单层二硫化钼薄膜

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-29页
    1.1 引言:二维过渡金属硫属化物第9-10页
    1.2 二硫化钼第10-13页
        1.2.1 二硫化钼的晶体结构第10-12页
        1.2.2 二硫化钼的电子结构第12-13页
    1.3 二硫化钼的特性及应用前景第13-22页
        1.3.1 光谱特性及光电探测器第13-17页
        1.3.2 电学特性及场效应晶体管第17-18页
        1.3.3 自旋谷电子学特性手性光发射晶体管第18-20页
        1.3.4 活性边缘及催化析氢反应第20-21页
        1.3.5 发电机第21-22页
    1.4 二硫化钼的制备方法第22-27页
        1.4.1 机械剥离法第23-24页
        1.4.2 化学气相沉积法第24-27页
    1.5 论文的内容和章节安排第27-29页
第二章 实验相关表征手段和微加工技术第29-43页
    2.1 引言第29页
    2.2 实验相关表征手段第29-35页
        2.2.1 光学显微成像第29-30页
        2.2.2 原子力显微镜表征及操纵第30-31页
        2.2.3 拉曼光谱第31-32页
        2.2.4 球差矫正透射电镜第32-34页
        2.2.5 薄膜转移台第34页
        2.2.6 四探针台第34-35页
    2.3 实验相关微加工技术第35-41页
        2.3.1 光学曝光第35-37页
        2.3.2 电子束曝光(EBL)第37-39页
        2.3.3 反应离子刻蚀(RIE)第39页
        2.3.4 电子束蒸镀第39-40页
        2.3.5 溶脱第40-41页
    2.4 本章小结第41-43页
第三章 六方氮化硼上外延生长单层二硫化钼第43-59页
    3.1 引言第43页
    3.2 在六方氮化硼上外延生长单层二硫化钼第43-48页
        3.2.1 生长二硫化钼第43-46页
        3.2.2 六方氮化硼上单层二硫化钼晶粒形状演化机制第46-48页
    3.3 二硫化钼稳态及AFM操纵第48页
    3.4 二硫化钼/六方氮化硼异质结的透射电镜表征第48-54页
        3.4.1 二硫化钼与六方氮化硼之间转角测量第48-49页
        3.4.2 二硫化钼晶粒缝合处的原子结构第49-54页
    3.5 二硫化钼/六方氮化硼光谱表征第54页
    3.6 六方氮化硼上单层二硫化钼薄膜的电学特性第54-57页
        3.6.1 转移石墨烯电极及器件封装第54-55页
        3.6.2 器件转移输出特性第55-57页
    3.7 本章小结第57-59页
第四章 晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的外延生长第59-79页
    4.1 引言第59-60页
    4.2 实验思想第60页
    4.3 2英寸化学气相沉积系统设计与搭建第60-64页
    4.4 2英寸晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的生长第64-67页
        4.4.1 2英寸单晶蓝宝石衬底准备第64-65页
        4.4.2 2英寸晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的生长第65-67页
    4.5 2英寸单层二硫化钼连续薄膜的表征第67-75页
        4.5.1 AFM表征第67-69页
        4.5.2 光谱表征第69-71页
        4.5.3 晶粒取向表征第71-72页
        4.5.4 球差透射电镜表征第72-74页
        4.5.5 角分辨光电子能谱表征第74-75页
    4.6 衬底的重复利用第75-76页
    4.7 连续薄膜的转移输出特性第76-77页
    4.8 本章小结第77-79页
第五章 二硫化钼薄膜的图案化第79-89页
    5.1 引言第79页
    5.2 二硫化钼纳米结构加工的研究现状第79-81页
    5.3 单层二硫化钼薄膜图案化加工原理及步骤第81-84页
    5.4 各种二硫化钼图案及表征第84-87页
    5.5 本章小结第87-89页
第六章 总结与展望第89-91页
    6.1 论文总结第89-90页
    6.2 展望第90-91页
参考文献第91-101页
个人简历及科研成果第101-103页
致谢第103-105页

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