摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-29页 |
1.1 引言:二维过渡金属硫属化物 | 第9-10页 |
1.2 二硫化钼 | 第10-13页 |
1.2.1 二硫化钼的晶体结构 | 第10-12页 |
1.2.2 二硫化钼的电子结构 | 第12-13页 |
1.3 二硫化钼的特性及应用前景 | 第13-22页 |
1.3.1 光谱特性及光电探测器 | 第13-17页 |
1.3.2 电学特性及场效应晶体管 | 第17-18页 |
1.3.3 自旋谷电子学特性手性光发射晶体管 | 第18-20页 |
1.3.4 活性边缘及催化析氢反应 | 第20-21页 |
1.3.5 发电机 | 第21-22页 |
1.4 二硫化钼的制备方法 | 第22-27页 |
1.4.1 机械剥离法 | 第23-24页 |
1.4.2 化学气相沉积法 | 第24-27页 |
1.5 论文的内容和章节安排 | 第27-29页 |
第二章 实验相关表征手段和微加工技术 | 第29-43页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 实验相关表征手段 | 第29-35页 |
2.2.1 光学显微成像 | 第29-30页 |
2.2.2 原子力显微镜表征及操纵 | 第30-31页 |
2.2.3 拉曼光谱 | 第31-32页 |
2.2.4 球差矫正透射电镜 | 第32-34页 |
2.2.5 薄膜转移台 | 第34页 |
2.2.6 四探针台 | 第34-35页 |
2.3 实验相关微加工技术 | 第35-41页 |
2.3.1 光学曝光 | 第35-37页 |
2.3.2 电子束曝光(EBL) | 第37-39页 |
2.3.3 反应离子刻蚀(RIE) | 第39页 |
2.3.4 电子束蒸镀 | 第39-40页 |
2.3.5 溶脱 | 第40-41页 |
2.4 本章小结 | 第41-43页 |
第三章 六方氮化硼上外延生长单层二硫化钼 | 第43-59页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 在六方氮化硼上外延生长单层二硫化钼 | 第43-48页 |
3.2.1 生长二硫化钼 | 第43-46页 |
3.2.2 六方氮化硼上单层二硫化钼晶粒形状演化机制 | 第46-48页 |
3.3 二硫化钼稳态及AFM操纵 | 第48页 |
3.4 二硫化钼/六方氮化硼异质结的透射电镜表征 | 第48-54页 |
3.4.1 二硫化钼与六方氮化硼之间转角测量 | 第48-49页 |
3.4.2 二硫化钼晶粒缝合处的原子结构 | 第49-54页 |
3.5 二硫化钼/六方氮化硼光谱表征 | 第54页 |
3.6 六方氮化硼上单层二硫化钼薄膜的电学特性 | 第54-57页 |
3.6.1 转移石墨烯电极及器件封装 | 第54-55页 |
3.6.2 器件转移输出特性 | 第55-57页 |
3.7 本章小结 | 第57-59页 |
第四章 晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的外延生长 | 第59-79页 |
4.1 引言 | 第59-60页 |
4.2 实验思想 | 第60页 |
4.3 2英寸化学气相沉积系统设计与搭建 | 第60-64页 |
4.4 2英寸晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的生长 | 第64-67页 |
4.4.1 2英寸单晶蓝宝石衬底准备 | 第64-65页 |
4.4.2 2英寸晶圆尺寸单层二硫化钼连续薄膜的生长 | 第65-67页 |
4.5 2英寸单层二硫化钼连续薄膜的表征 | 第67-75页 |
4.5.1 AFM表征 | 第67-69页 |
4.5.2 光谱表征 | 第69-71页 |
4.5.3 晶粒取向表征 | 第71-72页 |
4.5.4 球差透射电镜表征 | 第72-74页 |
4.5.5 角分辨光电子能谱表征 | 第74-75页 |
4.6 衬底的重复利用 | 第75-76页 |
4.7 连续薄膜的转移输出特性 | 第76-77页 |
4.8 本章小结 | 第77-79页 |
第五章 二硫化钼薄膜的图案化 | 第79-89页 |
5.1 引言 | 第79页 |
5.2 二硫化钼纳米结构加工的研究现状 | 第79-81页 |
5.3 单层二硫化钼薄膜图案化加工原理及步骤 | 第81-84页 |
5.4 各种二硫化钼图案及表征 | 第84-87页 |
5.5 本章小结 | 第87-89页 |
第六章 总结与展望 | 第89-91页 |
6.1 论文总结 | 第89-90页 |
6.2 展望 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-101页 |
个人简历及科研成果 | 第101-103页 |
致谢 | 第103-105页 |