| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 自组装膜 | 第10-12页 |
| 1.1.1 自组装膜的特点 | 第10-11页 |
| 1.1.2 自主装膜的分类 | 第11页 |
| 1.1.3 自组装膜的制备 | 第11-12页 |
| 1.2 超疏水膜 | 第12-13页 |
| 1.2.1 超疏水表面的制备技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 超疏水表面的应用 | 第13页 |
| 1.3 硅烷偶联剂概述 | 第13-15页 |
| 1.3.1 硅烷偶联剂的发展历史 | 第13-14页 |
| 1.3.2 硅烷偶联剂的作用机理 | 第14-15页 |
| 1.4 扫描电化学显微镜 | 第15页 |
| 1.4.1 扫描电化学显微镜的发展历史 | 第15页 |
| 1.4.2 SECM的基本原理 | 第15页 |
| 1.5 本论文的总体思路 | 第15-18页 |
| 1.5.1 有待于解决的问题 | 第15-16页 |
| 1.5.2 研究的目的和意义 | 第16页 |
| 1.5.3 研究思路和研究内容 | 第16-18页 |
| 2 实验体系与实验方法 | 第18-22页 |
| 2.1 实验体系 | 第18页 |
| 2.2 实验试剂 | 第18页 |
| 2.3 实验仪器与方法 | 第18-20页 |
| 2.3.1 电化学阻抗谱和极化曲线的测试 | 第18-19页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第19页 |
| 2.3.3 X-射线光电子能谱 | 第19页 |
| 2.3.4 扫描电化学显微镜(SECM) | 第19-20页 |
| 2.4 缓蚀膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.4.1 自组装膜的制备 | 第20页 |
| 2.4.2 Cu_9S_5膜的制备 | 第20页 |
| 2.4.3 C_(18)H_(36)O_2膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.4.4 铜表面硅烷化处理及复合膜的制备 | 第21-22页 |
| 3 交流电处理组装膜对铜在NaCl溶液中腐蚀行为的影响 | 第22-38页 |
| 3.1 交流电处理SAMHL/DT对铜在NaCl溶液中缓蚀行为的影响 | 第22-33页 |
| 3.1.1 交流阻抗 | 第22-25页 |
| 3.1.2 动电位极化 | 第25-27页 |
| 3.1.3 SECM测试 | 第27-28页 |
| 3.1.4 机理分析 | 第28-32页 |
| 3.1.5 XPS研究 | 第32-33页 |
| 3.2 交流电处理有机胺的自组装膜对铜在NaCl溶液中缓蚀行为的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-38页 |
| 4 Cu_9S_5膜和C_(18)H_(36)O_2膜对铜在NaCl溶液中腐蚀的抑制作用 | 第38-48页 |
| 4.1 Cu_9S_5膜对铜在NaCl溶液中腐蚀的抑制作用 | 第38-44页 |
| 4.1.1 电化学方法研究 | 第38-40页 |
| 4.1.2 形貌分析 | 第40-41页 |
| 4.1.3 EDS分析 | 第41-42页 |
| 4.1.4 XPS分析 | 第42-44页 |
| 4.2 C_(18)H_(36)O_2膜对铜在NaCl溶液中腐蚀的抑制作用 | 第44-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-48页 |
| 5 BTESPT硅烷膜对铜电极在NaCl溶液中腐蚀的抑制作用 | 第48-54页 |
| 5.1 BTESPT硅烷膜对铜在NaCl溶液中电化学行为的影响 | 第48-52页 |
| 5.2 BTESPT硅烷膜的XPS分析 | 第52-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 本文总结 | 第54页 |
| 6.2 本文创新之处 | 第54-55页 |
| 6.3 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简历 | 第74-76页 |
| 学位论文数据集 | 第76页 |
