| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 热电材料的研究背景与应用 | 第9-11页 |
| 1.2 热电材料的基本理论 | 第11-13页 |
| 1.2.1 热电效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 热电材料的性能评价及提高 | 第12-13页 |
| 1.3 Bi_2Te_3基热电材料的国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本文的研究目的与内容 | 第15-16页 |
| 第二章 热电薄膜的制备与表征方法 | 第16-25页 |
| 2.1 热电薄膜的制备 | 第16-18页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜法 | 第16-17页 |
| 2.1.2 真空热蒸镀法 | 第17-18页 |
| 2.2 热电薄膜的表征方法 | 第18-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第18-19页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第19-20页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第20页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜和能量色散谱仪 | 第20-21页 |
| 2.2.5 表面轮廓仪 | 第21-22页 |
| 2.2.6 薄膜电导率四探针测试法 | 第22-24页 |
| 2.2.7 薄膜Seebeck系数测试仪 | 第24-25页 |
| 第三章 N型Bi/CH_3NH_3I和P型Sb/CH_3NH_3I复合热电薄膜材料 | 第25-35页 |
| 3.1 制备方法 | 第25-26页 |
| 3.1.1 CH_3NH_3I的制备 | 第25页 |
| 3.1.2 N型Bi/CH_3NH_3I和P型Sb/CH_3NH_3I复合热电薄膜材料的制备 | 第25-26页 |
| 3.2 I含量对N型Bi/CH_3NH_3I热电薄膜结构及性能的影响 | 第26-30页 |
| 3.3 I含量对P型Sb/CH_3NH_3I热电薄膜结构及性能的影响 | 第30-34页 |
| 3.4 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I复合热电薄膜材料 | 第35-59页 |
| 4.1 磁控溅射和热蒸发法制备N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I热电薄膜及性能研究 | 第35-43页 |
| 4.1.1 制备方法 | 第35页 |
| 4.1.2 I含量对N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I热电薄膜结构及性能的影响 | 第35-42页 |
| 4.1.3 小结 | 第42-43页 |
| 4.2 三步叠层蒸镀法制备N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I复合热电薄膜及性能研究 | 第43-50页 |
| 4.2.1 制备方法 | 第43-44页 |
| 4.2.2 I含量对N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I热电薄膜结构及性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.2.3 小结 | 第50页 |
| 4.3 共蒸发法制备N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I复合热电薄膜及性能研究 | 第50-59页 |
| 4.3.1 制备方法 | 第50-51页 |
| 4.3.2 I含量对N型Bi_2Te_3/CH_3NH_3I热电薄膜结构及性能的影响 | 第51-58页 |
| 4.3.3 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第67页 |
