综合效应下模拟电路性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-19页 |
| 1.1.1 IC的可靠性问题 | 第14-15页 |
| 1.1.2 总剂量及综合效应的研究背景及其影响 | 第15-17页 |
| 1.1.3 总剂量及综合效应可靠性研究意义 | 第17-19页 |
| 1.2 NBTI、HCI及总剂量效应研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 论文的主要内容和结构安排 | 第21-24页 |
| 第二章 MOSFET可靠性模型 | 第24-42页 |
| 2.1 器件级可靠性模型 | 第24-29页 |
| 2.1.1 反应-扩散参数模型 | 第24-27页 |
| 2.1.2 俘获-脱阱参数模型 | 第27-29页 |
| 2.2 电路级长期模型 | 第29-32页 |
| 2.2.1 NBTI的长期退化模型 | 第29-31页 |
| 2.2.2 CHC的长期退化模型 | 第31-32页 |
| 2.3 总剂量效应模型 | 第32-40页 |
| 2.3.1 MOSFET的总剂量效应 | 第32-36页 |
| 2.3.2 STI结构总剂量效应 | 第36-39页 |
| 2.3.3 TID与CHC综合效应模型 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 差分放大器的退化分析 | 第42-50页 |
| 3.1 差分放大器 | 第42-44页 |
| 3.1.1 电路介绍 | 第42-43页 |
| 3.1.2 电路可靠性分析流程 | 第43-44页 |
| 3.2 差分放大器退化分析 | 第44-48页 |
| 3.2.1 电路级长期模型的数值分析方法 | 第44-46页 |
| 3.2.2 MATLAB联合SPICE的迭代分析 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 压控振荡器的综合效应退化分析 | 第50-62页 |
| 4.1 VCO应力原理 | 第50-55页 |
| 4.1.1 振荡器基本结构及工作原理 | 第50-52页 |
| 4.1.2 退化分析 | 第52-53页 |
| 4.1.3 压控振荡器及其频率调谐 | 第53-55页 |
| 4.2 VCO的迭代退化分析 | 第55-60页 |
| 4.2.1 综合效应下电路退化分析 | 第55-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 论文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
